SK하이닉스는 23일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열린 TSMC 오픈 이노베이션 플랫폼(OIP) 컨퍼런스에서 차세대 메모리 포트폴리오와 개발 전략을 공유하고, 2년 연속 ‘올해의 파트너상’을 수상하며 TSMC와의 파트너십을 재확인했다. 전시는 HBM과 AI 최적화 메모리·스토리지 두 축으로 구성됐으며, 엔비디아 슈퍼칩 ‘베라 루빈’에 탑재된 12단 36GB HBM4와 96GB SOCAMM2, 12단 48GB HBM4E, 16단 48GB HBM4, 12단 36GB HBM3E, 192GB SOCAMM2, 256GB 3DS RDIMM, 128GB MRDIMM, 64GB RDIMM(1c 공정), PEB210 E1.S, PS1101 E3.S, PEB210 M.2 등이 소개됐다. SK하이닉스는 TSMC CoWoS 기반 HBM5 검증 협력으로 ‘3DFabric-HBM 통합’ 부문에서 2년 연속 수상했다. 발표 세션에서 SK하이닉스는 PCIe 기반 eSSD 시장이 2026년 509EB에서 2030년 1,933EB로 약 3.8배 성장할 것으로 전망하고, 6·7세대 PCIe용 차세대 SSD 솔루션을 칩렛 기반으로 준비 중이라고 밝혔다. HBF는 HBM과 SSD 사이의 차세대 낸드 기반 메모리 계층으로 소개됐다.
이 문서는 SK하이닉스가 TSMC OIP 컨퍼런스에서 차세대 메모리 포트폴리오를 전시하고, TSMC CoWoS 기반 HBM5 검증 협력으로 2년 연속 파트너상을 수상했다는 내용을 담고 있다. 메모리 산업 관점에서 직접적인 영향은 HBM4·HBM4E·HBM3E 등 HBM 라인업의 구체적 사양(12단 36GB, 16단 48GB, 12단 48GB)과 엔비디아 베라 루빈 탑재 사실, SOCAMM2 96GB·192GB, 서버 DRAM 256GB 3DS RDIMM·128GB MRDIMM·64GB 1c RDIMM, eSSD PEB210 E1.S·PS1101 E3.S·PEB210 M.2 등 제품군 공개다. 이는 HBM과 서버 DRAM, eSSD의 수요 확대와 기술 계층 이동(HBM→HBF, PCIe 기반 eSSD) 가능성을 시사한다. 다만 문서에는 구체적 출하량, 매출, 가격, 고객 확정 주문 등 정량적 지표가 없어 실제 수요 효과는 미확인이다. eSSD 시장 전망(2026년 509EB→2030년 1,933EB, 약 3.8배)은 SK하이닉스 발표자의 전망치로, 독립 검증이 필요하다. HBF는 차세대 메모리 계층으로 소개됐으나 상용화 시점·고객·매출은 언급되지 않았다. SOCAMM2는 서버용 LPDDR 기반 모듈로, 모바일 LPDDR 수요와 혼동해서는 안 된다. NAND와 eSSD는 별개 제품군으로 합산하지 않았다. 패키징·장비 세대 변경(CoWoS, 칩렛, UCIe)은 데이터/워크로드 위치 이동이 아니므로 계층 이동으로 해석하지 않았다.
At the TSMC Open Innovation Platform(OIP) Conference, held on the 23rd(local time) in Santa Clara, California, US, SK hynix shared its next-generation memory portfolio and development strategy, and reaffirmed its solid partnership with TSMC by receiving the Partner of the Year Award for the second consecutive year.
NVIDIA’s superchip “Vera Rubin” was displayed together with SK hynix’s 12-layer 36GB HBM4 and 96GB SOCAMM2* mounted on it, so visitors could examine them closely.
Around the superchip, key HBM products — the 12-layer 48GB HBM4E, the 16-layer 48GB HBM4, and the 12-layer 36GB HBM3E — were arranged side by side with an actual 192GB SOCAMM2 unit.
The server DRAM lineup included the “256GB 3DS* RDIMM*,” which achieves the industry’s largest capacity tailored to AI workloads, along with the high-bandwidth “128GB MRDIMM*” and the “64GB RDIMM,” the world’s first to apply a 10-nanometer(nm) class sixth-generation(1c)* process.
The SSD stand featured a lineup spanning different form factors and use environments — the PEB210 E1.S, the PS1101 E3.S, and the PEB210 M.2 — demonstrating SK hynix’s storage solution capabilities to meet a wide range of customer needs.
At this forum, SK hynix was named a Partner of the Year Award winner in the “3DFabric-HBM Integration” category. This marked the company’s second consecutive win following last year, this time in recognition of a collaboration that validated HBM5 on the basis of TSMC’s CoWoS* to advance next-generation AI systems.
As AI infrastructure expands, the PCIe-based eSSD market is expected to grow roughly 3.8 times, from 509EB* in 2026 to 1,933EB in 2030
SK hynix has developed a wide range of SSD controllers using TSMC processes since third-generation PCIe, and for the sixth and seventh generations we are preparing next-generation SSD solutions based on chiplets*. The design separates the conventional single-chip controller into chiplet* units connected via UCIe*, which is expected to enable shorter development times, independent generation transitions for each function, capacity expansion, and power optimization.
HBF(High Bandwidth Flash): A next-generation NAND-based memory technology being discussed as a new memory layer between HBM and SSD. Like HBM, it applies a logic process to the base die, providing far greater capacity than HBM while securing comparable bandwidth and cost efficiency
SOCAMM2(Small Outline Compression Attached Memory Module2): A memory module specialized for AI servers, based on low-power DRAM
TSMC OIP에서 HBM4·HBM4E·HBM3E 라인업 공개 및 CoWoS 기반 HBM5 검증 협력 → 엔비디아 베라 루빈 등 AI 가속기 탑재 → HBM 스택 수·용량·대역폭 지표 → 차세대 AI 시스템 대응 전략
SK하이닉스가 TSMC OIP에서 HBM4·HBM4E·SOCAMM2·서버 DRAM·eSSD 등 차세대 메모리 포트폴리오를 구체적으로 공개하고, CoWoS 기반 HBM5 검증 협력으로 2년 연속 파트너상을 수상했다. 이는 HBM과 서버 DRAM, eSSD의 제품 로드맵과 생태계 협력 강화를 보여주는 직접적 근거다.
자동 해석 초안 · 원문 인용 문자열 검증 · 독립 검증 전
HBM4·HBM4E의 양산 시점, 출하량, 가격, 수율, 고객 확정 물량 관찰 지표: HBM4 양산 일정 및 엔비디아 외 고객 채택 여부
SOCAMM2 96GB·192GB 전시 및 베라 CPU 메인 시스템 메모리 역할 설명 → AI 서버 시스템 메모리 수요 → 서버용 LPDDR 기반 모듈 채택 → AI 서버 메모리 구성 전략
SK하이닉스가 TSMC OIP에서 HBM4·HBM4E·SOCAMM2·서버 DRAM·eSSD 등 차세대 메모리 포트폴리오를 구체적으로 공개하고, CoWoS 기반 HBM5 검증 협력으로 2년 연속 파트너상을 수상했다. 이는 HBM과 서버 DRAM, eSSD의 제품 로드맵과 생태계 협력 강화를 보여주는 직접적 근거다.
자동 해석 초안 · 원문 인용 문자열 검증 · 독립 검증 전
SOCAMM2 양산 시점, 출하량, 가격, 모바일 LPDDR과의 생산 배분 관찰 지표: SOCAMM2 채택 서버 플랫폼 확대 여부 및 서버 LPDDR 수요와 모바일 LPDDR 수요 구분
256GB 3DS RDIMM, 128GB MRDIMM, 64GB 1c RDIMM 전시 → AI 서버 DRAM 수요 → 서버 DRAM 용량·대역폭 지표 → 서버 메모리 포트폴리오 전략
SK하이닉스가 TSMC OIP에서 HBM4·HBM4E·SOCAMM2·서버 DRAM·eSSD 등 차세대 메모리 포트폴리오를 구체적으로 공개하고, CoWoS 기반 HBM5 검증 협력으로 2년 연속 파트너상을 수상했다. 이는 HBM과 서버 DRAM, eSSD의 제품 로드맵과 생태계 협력 강화를 보여주는 직접적 근거다.
자동 해석 초안 · 원문 인용 문자열 검증 · 독립 검증 전
각 제품의 양산 시점, 출하량, 가격, 고객 확정 물량 관찰 지표: 1c 공정 수율 및 서버 DRAM 세대 전환 속도
PEB210 E1.S·PS1101 E3.S·PEB210 M.2 전시 및 eSSD 시장 성장 전망 → 데이터센터·엔터프라이즈 스토리지 수요 → eSSD 출하·폼팩터 채택 지표 → PCIe 6·7세대 칩렛 기반 SSD 개발 전략
SK하이닉스가 TSMC OIP에서 HBM4·HBM4E·SOCAMM2·서버 DRAM·eSSD 등 차세대 메모리 포트폴리오를 구체적으로 공개하고, CoWoS 기반 HBM5 검증 협력으로 2년 연속 파트너상을 수상했다. 이는 HBM과 서버 DRAM, eSSD의 제품 로드맵과 생태계 협력 강화를 보여주는 직접적 근거다.
자동 해석 초안 · 원문 인용 문자열 검증 · 독립 검증 전
eSSD 시장 전망치의 독립 검증, 칩렛 기반 SSD 양산 시점, QLC eSSD 수율·내구성 관찰 지표: E1.S·E3 폼팩터 채택 확대 및 PCIe 6·7세대 SSD 개발 진행 상황
HBF를 HBM과 SSD 사이 차세대 낸드 기반 메모리 계층으로 소개 → AI·GPU 성능 향상을 위한 새 메모리 계층 형성 → HBF 채택 지표 → 차세대 메모리 포트폴리오 전략
SK하이닉스가 TSMC OIP에서 HBM4·HBM4E·SOCAMM2·서버 DRAM·eSSD 등 차세대 메모리 포트폴리오를 구체적으로 공개하고, CoWoS 기반 HBM5 검증 협력으로 2년 연속 파트너상을 수상했다. 이는 HBM과 서버 DRAM, eSSD의 제품 로드맵과 생태계 협력 강화를 보여주는 직접적 근거다.
자동 해석 초안 · 원문 인용 문자열 검증 · 독립 검증 전
HBF 상용화 시점, 성능·용량·가격, 채택 고객, 양산 여부 관찰 지표: HBF 표준화 및 상용화 발표 여부
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