MEMORY INDUSTRY INTELLIGENCE
SK하이닉스, DTF 2026에서 AI 인프라에 최적화된 메모리 솔루션 전체 라인업 공개 | SK하이닉스 뉴스룸
한국어 번역·요약·분석
원문 제목: SK hynix Presents a Full Lineup of Memory Solutions Optimized for AI Infrastructure at DTF 2026 | SK hynix Newsroom
핵심 요약
SK하이닉스가 2026년 8월 25일 서울 코엑스에서 열린 Dell Technologies Forum 2026(DTF)에 참가해 AI 인프라용 메모리 솔루션 전체 라인업을 전시했다. 전시는 HBM, AI DRAM, AI NAND, AI Reality 4개 존과 서버 랙 체험 공간으로 구성됐으며 HBM3E·HBM4·HBM4E, 192GB SOCAMM2, 256GB 3DS RDIMM, 128GB MRDIMM, 64GB RDIMM, 2세대 CMM-DDR5, PEB210 E1.S, PS1110 E3.S, PS1101 E3.S 등이 소개됐다. SK하이닉스는 서울 DTF에서 처음으로 기조연설을 했고, eSSD·cSSD 세션도 진행했다. 회사는 Dell과의 협력을 재확인하고 풀스택 AI 메모리 창조자로서의 기술 리더십을 강조했다. 본문에는 구체적 출하량·매출·투자 수치가 없으며, 192GB SOCAMM2의 1cnm LPDDR5X 기반 양산 발표만 확인된다.
메모리 산업 영향 분석
이 문서는 SK하이닉스가 Dell 주최 DTF 2026에서 AI 인프라용 메모리 전체 라인업을 전시하고 기조연설·기술 세션을 진행했다는 사실을 전한다. 메모리 산업 관점에서는 HBM3E·HBM4·HBM4E, 192GB SOCAMM2(1cnm LPDDR5X 기반 양산 발표), 256GB 3DS RDIMM, 128GB MRDIMM, 64GB RDIMM(1c 공정), 2세대 CMM-DDR5, QLC eSSD PS1101, QLC cSSD PQC21 등 제품 라인업이 확인된다. 다만 출하량·매출·고객 채택 규모·가격 등 정량 지표는 본문에 없어 수요 효과를 계량할 수 없다. 서버향 SOCAMM2는 AI 서버용 모듈로 소개됐으므로 모바일 LPDDR 수요로 해석하지 않으며, NAND와 eSSD도 합산하지 않는다. Dell과의 협력 강화는 전시·기조연설·세션 참여로 확인되나 구체적 공급 계약·물량은 미확인이다. 확인할 지표는 HBM 세대별 출하·인증, SOCAMM2 채택 고객, 서버 DRAM 용량 믹스, eSSD/cSSD 출하 및 QLC 전환율이다.
한국어 번역 읽기
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SK하이닉스는 전략적 파트너인 Dell Technologies(Dell)와의 협력을 확대해 왔다. 미국 라스베이거스에서 5월에 열린 Dell Technologies World 2026에 이어, SK하이닉스는 8월 25일 서울 코엑스에서 열린 Dell Technologies Forum 2026(DTF)에 참가했다. 이번 행사에서 양사는 강한 신뢰를 재확인하고 다양한 차세대 AI 메모리 솔루션을 선보였다.
Dell은 각 지역의 핵심 비즈니스 파트너와 협력을 강화하기 위해 전 세계 주요 도시에서 Technologies Forum을 개최한다. Dell의 핵심 파트너로서 SK하이닉스는 2023년부터 서울에서 열리는 포럼에 지속적으로 참가해 왔다. 특히 올해 SK하이닉스는 AI 기술의 빠른 발전 속에 급속히 확장하는 AI 인프라 시장을 겨냥해 전체 메모리 계층을 아우르는 제품 포트폴리오를 선보였다. 이를 통해 AI 시대에서의 기술 리더십을 다시 한번 입증했다.
▲ 방문객들이 SK하이닉스 전시 부스를 둘러보고 있다
SK하이닉스는 이번 전시 디자인에 풀스택 AI 메모리 창조자로서의 정체성을 시각적으로 표현하기 위해 상당한 공을 들였다. 부스에 들어서면 가장 먼저 보이는 전면 미디어 사이니지는 AI 메모리가 AI를 일상으로 가져오는 데 하는 핵심 역할을 강조하는 미디어 아트로 방문객의 시선을 끌었다. 뒷벽은 SK하이닉스의 AI 메모리 솔루션을 통해 효율적이고 신뢰할 수 있는 AI 인프라를 구축하겠다는 비전과 방향을 전달하는 그래픽으로 장식돼 부스 전체에 일관된 메시지를 강화했다.
▲ 방문객들이 디스플레이 화면에서 제품 정보를 살펴보고 있다
무엇보다 방문객들은 올해 DTF를 위해 특별히 준비한 '서버 랙' 전시 공간에 큰 관심을 보였다. 이 인터랙티브 체험은 AI 서버 랙 모양 구조물 전면에 터치스크린을 설치한 것으로, 구조물을 터치하면 제품 세부 정보가 터치스크린에 나타나 방문객들이 실제 서버 시스템 내에서 SK하이닉스 제품의 역할과 중요성을 직관적으로 파악할 수 있게 했다.
▲ 스케일러블 데이터 서버의 내부 구조와 각 영역에 배치된 SK하이닉스 제품
스케일러블 데이터 서버에 전시된 eSSD 제품으로는 직접 액체 냉각(DLC)을 지원하는 PEB210 E1.S, NVMe* E3.S 폼팩터에서 고용량·저전력을 제공하는 PS1110 E3.S, SK하이닉스 최초의 QLC* 기반 eSSD인 PS1101 E3.S가 있다. 서버 DRAM 라인업은 나란히 전시됐다: 업계 최대 용량을 달성한 256GB 3DS* RDIMM*, 높은 대역폭으로 고성능 컴퓨팅 환경에 최적화된 128GB MRDIMM*, 세계 최초 10나노미터(nm)급 6세대(1c)* 공정 기술 기반으로 빠른 속도와 높은 전력 효율을 제공하는 64GB RDIMM. 방문객들은 스케일러블 데이터 서버에 탑재된 또 다른 제품인 2세대 CMM(CXL* Memory Module)-DDR5*에 대한 상세 정보도 확인할 수 있었다.
* NVMe(Non-Volatile Memory Express): PCIe 인터페이스 기반 비휘발성 메모리용 통신 프로토콜. 기존 SATA 인터페이스 대비 초고속·고용량 데이터 처리에 최적화됨.
* QLC: NAND 플래시 메모리는 셀당 저장 비트 수에 따라 SLC(Single Level Cell, 1비트), MLC(Multi Level Cell, 2비트), TLC(Triple Level Cell, 3비트), QLC(Quadruple Level Cell, 4비트)로 분류된다. 저장 용량이 커질수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있다.
* 3DS(3D Stacked Memory): TSV(Through-Silicon Via)를 사용해 두 개 이상의 DRAM 칩을 수직으로 연결한 고성능 메모리.
* RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module): 여러 DRAM 칩으로 구성된 서버 메모리 모듈.
* MRDIMM(Multiplexed Rank Dual In-line Memory Module): 모듈의 기본 동작 단위인 두 개의 랭크를 동시에 운영해 속도를 크게 향상시킨 제품.
* 10나노미터(nm)급 공정 기술은 1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c(6세대)로 순차 발전해 왔다.
* CXL(Compute Express Link): 시스템 내 메모리, 프로세서 및 기타 구성 요소를 효율적으로 연결해 대역폭과 용량의 한계를 확장하는 인터페이스 기술.
* CMM-DDR5: 기존 DDR5 모듈 대비 시스템 용량을 50% 확장하고 대역폭을 30% 증가시켜 초당 36GB의 데이터 처리 능력을 달성한 제품.
▲ HBM 제품 라인업에 대한 정보 및 소개 영상
하이퍼스피드 AI 서버에 전시된 제품으로는 HBM* 라인업인 HBM3E, HBM4, HBM4E와 함께 새로운 폼팩터로 전력 및 공간 효율을 개선한 192GB SOCAMM2*가 있다.
* HBM(High Bandwidth Memory): 여러 DRAM 칩을 수직으로 연결해 용량을 늘리고 데이터 처리 속도를 획기적으로 향상시킨 고부가가치·고성능 제품. HBM은 1세대(HBM), 2세대(HBM2), 3세대(HBM2E), 4세대(HBM3), 5세대(HBM3E), 6세대(HBM4)로 순차 개발됐다.
* SOCAMM2(Small Outline Compression Attached Memory Module): 저전력 DRAM 기반의 메모리 모듈 폼팩터로 AI 서버에 특화·최적화됨. SK하이닉스는 1cnm LPDDR5X 기반 192GB SOCAMM2의 양산을 발표했다.
▲ 방문객들이 SK하이닉스의 다양한 AI 메모리 제품을 살펴볼 수 있었던 'Product & System' 전시 공간
전면 미디어 사이니지 위에는 'Product & System' 전시 공간이 HBM, AI DRAM, AI NAND, AI Reality의 네 개 존으로 구성됐다. 가장 왼쪽의 'HBM' 존에는 실제 HBM4 웨이퍼가 HBM4 및 HBM4E 제품과 함께 전시돼 방문객의 시선을 끌었다.
그 옆에는 'AI DRAM'과 'AI NAND' 존이 나란히 배치돼 방문객들이 Dell Technologies와의 파트너십을 기반으로 한 주요 AI 메모리 제품의 실물과 상세 사양을 볼 수 있었다. 'AI DRAM' 존에는 SOCAMM2, 3DS RDIMM, RDIMM, CSODIMM*, LPCAMM2*, LPDDR*5X, GDDR7 등 AI 서버 및 PC 환경에 최적화된 다양한 DRAM 라인업이 전시됐다. 'AI NAND' 존에는 SK하이닉스 최초의 QLC eSSD(PS1101)와 최초의 QLC cSSD(PQC21)를 필두로 PS1101 E3.S, PEB210 E1.S, PEB210 M.2, PCB01, PVF01, PQF02A/PQF02, PQC21 등 eSSD와 cSSD의 폭넓은 포트폴리오가 전시됐다.
* CSODIMM(Compression Attached Small Outline DIMM): 기존 SODIMM보다 더 얇고 컴팩트한 폼팩터의 차세대 메모리 모듈로, AI PC와 고성능 노트북에서 고용량을 구현하도록 설계됨.
* LPCAMM2(Low-Power Compression Attached Memory Module): LPDDR5X 기반 모듈로 기존 DDR5 기반 SODIMM(노트북 및 소형 PC용 모듈) 두 개의 성능을 제공하면서 공간 절약과 저전력·고성능을 제공함.
* LPDDR: 저전력 동작 특성을 가진 최신 모바일 DRAM 제품. 이름 앞에 LP(Low Power)가 붙으며 LPDDR1, 2, 3, 4, 4X, 5, 5X, 6으로 순차 개발됨.
▲ SK하이닉스 전시 부스를 방문한 Dell 고위 임원들
'AI Reality' 존은 전시대 가장 오른쪽에 배치됐다. 이곳에서는 Dell의 R770 서버 시스템 옆에 그 안에 설치된 SK하이닉스 인증 제품인 6400MT/s DDR5 RDIMM과 PS1010 E3.S의 실물이 나란히 전시돼 방문객들이 SK하이닉스 제품이 실제 Dell 서버에 어떻게 통합되는지 직접 볼 수 있었다.
▲ 기조연설을 하는 주영표 부사장 겸 시스템 아키텍처 부문장
올해 행사는 SK하이닉스가 서울에서 열린 DTF에서 처음으로 기조연설을 했다는 점에서 더욱 의미가 있었다. 기조연설자로 나선 주 부사장은 "보이지 않는 엔진: AI 시대를 완성하는 기술"이라는 주제로 차세대 메모리 솔루션이 AI 시대를 어떻게 완성하는지 설명했다.
"메모리 기술은 표면적으로 보이지 않을 수 있지만, 저장부터 시스템까지 모든 영역에서 AI 성능을 결정하는 AI 시대의 핵심 동력"이라고 그는 강조했다. "SK하이닉스는 AI가 잠재력을 최대한 발휘할 수 있도록 기술 혁신을 꾸준히 발전시키고 있다."
▲ NAND 제품 기획의 양철훈 테크니컬 리더가 발표를 진행하고 있다
브레이크아웃 세션에서는 NAND 제품 기획의 양철훈 테크니컬 리더와 NAND 제품 기획의 강현수 테크니컬 리더가 함께 무대에 올라 "AI 시대를 위한 eSSD 및 cSSD 솔루션과 Dell과의 협업 포트폴리오"라는 제목의 발표를 진행했다. 양 리더는 AI 데이터센터에서 사용되는 메모리 솔루션의 효율을 높이기 위한 eSSD 분야의 여러 진행 중인 기술 혁신을 소개했다. 이어 강 리더는 온디바이스 AI 환경을 위해 차세대 cSSD가 충족해야 할 기술 요구사항과 이를 달성하기 위한 ongoing 노력을 공유했다.
SK하이닉스는 "이번 DTF 참가를 통해 핵심 파트너인 Dell과의 협력을 더욱 강화하고 풀스택 AI 메모리 창조자로서 SK하이닉스의 기술 역량을 널리 알렸다"고 밝혔다. 회사는 "AI 시대를 이끄는 주요 글로벌 빅테크 기업들과 다양한 방식으로 전략적 파트너십을 계속 확대하고, AI 메모리 시장에서 확보한 리더십을 강화해 나갈 것"이라고 덧붙였다.
[영상 3](https://www.youtube.com/watch?v=Qwacxyjsuas)
Dell은 각 지역의 핵심 비즈니스 파트너와 협력을 강화하기 위해 전 세계 주요 도시에서 Technologies Forum을 개최한다. Dell의 핵심 파트너로서 SK하이닉스는 2023년부터 서울에서 열리는 포럼에 지속적으로 참가해 왔다. 특히 올해 SK하이닉스는 AI 기술의 빠른 발전 속에 급속히 확장하는 AI 인프라 시장을 겨냥해 전체 메모리 계층을 아우르는 제품 포트폴리오를 선보였다. 이를 통해 AI 시대에서의 기술 리더십을 다시 한번 입증했다.
▲ 방문객들이 SK하이닉스 전시 부스를 둘러보고 있다
SK하이닉스는 이번 전시 디자인에 풀스택 AI 메모리 창조자로서의 정체성을 시각적으로 표현하기 위해 상당한 공을 들였다. 부스에 들어서면 가장 먼저 보이는 전면 미디어 사이니지는 AI 메모리가 AI를 일상으로 가져오는 데 하는 핵심 역할을 강조하는 미디어 아트로 방문객의 시선을 끌었다. 뒷벽은 SK하이닉스의 AI 메모리 솔루션을 통해 효율적이고 신뢰할 수 있는 AI 인프라를 구축하겠다는 비전과 방향을 전달하는 그래픽으로 장식돼 부스 전체에 일관된 메시지를 강화했다.
▲ 방문객들이 디스플레이 화면에서 제품 정보를 살펴보고 있다
무엇보다 방문객들은 올해 DTF를 위해 특별히 준비한 '서버 랙' 전시 공간에 큰 관심을 보였다. 이 인터랙티브 체험은 AI 서버 랙 모양 구조물 전면에 터치스크린을 설치한 것으로, 구조물을 터치하면 제품 세부 정보가 터치스크린에 나타나 방문객들이 실제 서버 시스템 내에서 SK하이닉스 제품의 역할과 중요성을 직관적으로 파악할 수 있게 했다.
▲ 스케일러블 데이터 서버의 내부 구조와 각 영역에 배치된 SK하이닉스 제품
스케일러블 데이터 서버에 전시된 eSSD 제품으로는 직접 액체 냉각(DLC)을 지원하는 PEB210 E1.S, NVMe* E3.S 폼팩터에서 고용량·저전력을 제공하는 PS1110 E3.S, SK하이닉스 최초의 QLC* 기반 eSSD인 PS1101 E3.S가 있다. 서버 DRAM 라인업은 나란히 전시됐다: 업계 최대 용량을 달성한 256GB 3DS* RDIMM*, 높은 대역폭으로 고성능 컴퓨팅 환경에 최적화된 128GB MRDIMM*, 세계 최초 10나노미터(nm)급 6세대(1c)* 공정 기술 기반으로 빠른 속도와 높은 전력 효율을 제공하는 64GB RDIMM. 방문객들은 스케일러블 데이터 서버에 탑재된 또 다른 제품인 2세대 CMM(CXL* Memory Module)-DDR5*에 대한 상세 정보도 확인할 수 있었다.
* NVMe(Non-Volatile Memory Express): PCIe 인터페이스 기반 비휘발성 메모리용 통신 프로토콜. 기존 SATA 인터페이스 대비 초고속·고용량 데이터 처리에 최적화됨.
* QLC: NAND 플래시 메모리는 셀당 저장 비트 수에 따라 SLC(Single Level Cell, 1비트), MLC(Multi Level Cell, 2비트), TLC(Triple Level Cell, 3비트), QLC(Quadruple Level Cell, 4비트)로 분류된다. 저장 용량이 커질수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있다.
* 3DS(3D Stacked Memory): TSV(Through-Silicon Via)를 사용해 두 개 이상의 DRAM 칩을 수직으로 연결한 고성능 메모리.
* RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module): 여러 DRAM 칩으로 구성된 서버 메모리 모듈.
* MRDIMM(Multiplexed Rank Dual In-line Memory Module): 모듈의 기본 동작 단위인 두 개의 랭크를 동시에 운영해 속도를 크게 향상시킨 제품.
* 10나노미터(nm)급 공정 기술은 1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c(6세대)로 순차 발전해 왔다.
* CXL(Compute Express Link): 시스템 내 메모리, 프로세서 및 기타 구성 요소를 효율적으로 연결해 대역폭과 용량의 한계를 확장하는 인터페이스 기술.
* CMM-DDR5: 기존 DDR5 모듈 대비 시스템 용량을 50% 확장하고 대역폭을 30% 증가시켜 초당 36GB의 데이터 처리 능력을 달성한 제품.
▲ HBM 제품 라인업에 대한 정보 및 소개 영상
하이퍼스피드 AI 서버에 전시된 제품으로는 HBM* 라인업인 HBM3E, HBM4, HBM4E와 함께 새로운 폼팩터로 전력 및 공간 효율을 개선한 192GB SOCAMM2*가 있다.
* HBM(High Bandwidth Memory): 여러 DRAM 칩을 수직으로 연결해 용량을 늘리고 데이터 처리 속도를 획기적으로 향상시킨 고부가가치·고성능 제품. HBM은 1세대(HBM), 2세대(HBM2), 3세대(HBM2E), 4세대(HBM3), 5세대(HBM3E), 6세대(HBM4)로 순차 개발됐다.
* SOCAMM2(Small Outline Compression Attached Memory Module): 저전력 DRAM 기반의 메모리 모듈 폼팩터로 AI 서버에 특화·최적화됨. SK하이닉스는 1cnm LPDDR5X 기반 192GB SOCAMM2의 양산을 발표했다.
▲ 방문객들이 SK하이닉스의 다양한 AI 메모리 제품을 살펴볼 수 있었던 'Product & System' 전시 공간
전면 미디어 사이니지 위에는 'Product & System' 전시 공간이 HBM, AI DRAM, AI NAND, AI Reality의 네 개 존으로 구성됐다. 가장 왼쪽의 'HBM' 존에는 실제 HBM4 웨이퍼가 HBM4 및 HBM4E 제품과 함께 전시돼 방문객의 시선을 끌었다.
그 옆에는 'AI DRAM'과 'AI NAND' 존이 나란히 배치돼 방문객들이 Dell Technologies와의 파트너십을 기반으로 한 주요 AI 메모리 제품의 실물과 상세 사양을 볼 수 있었다. 'AI DRAM' 존에는 SOCAMM2, 3DS RDIMM, RDIMM, CSODIMM*, LPCAMM2*, LPDDR*5X, GDDR7 등 AI 서버 및 PC 환경에 최적화된 다양한 DRAM 라인업이 전시됐다. 'AI NAND' 존에는 SK하이닉스 최초의 QLC eSSD(PS1101)와 최초의 QLC cSSD(PQC21)를 필두로 PS1101 E3.S, PEB210 E1.S, PEB210 M.2, PCB01, PVF01, PQF02A/PQF02, PQC21 등 eSSD와 cSSD의 폭넓은 포트폴리오가 전시됐다.
* CSODIMM(Compression Attached Small Outline DIMM): 기존 SODIMM보다 더 얇고 컴팩트한 폼팩터의 차세대 메모리 모듈로, AI PC와 고성능 노트북에서 고용량을 구현하도록 설계됨.
* LPCAMM2(Low-Power Compression Attached Memory Module): LPDDR5X 기반 모듈로 기존 DDR5 기반 SODIMM(노트북 및 소형 PC용 모듈) 두 개의 성능을 제공하면서 공간 절약과 저전력·고성능을 제공함.
* LPDDR: 저전력 동작 특성을 가진 최신 모바일 DRAM 제품. 이름 앞에 LP(Low Power)가 붙으며 LPDDR1, 2, 3, 4, 4X, 5, 5X, 6으로 순차 개발됨.
▲ SK하이닉스 전시 부스를 방문한 Dell 고위 임원들
'AI Reality' 존은 전시대 가장 오른쪽에 배치됐다. 이곳에서는 Dell의 R770 서버 시스템 옆에 그 안에 설치된 SK하이닉스 인증 제품인 6400MT/s DDR5 RDIMM과 PS1010 E3.S의 실물이 나란히 전시돼 방문객들이 SK하이닉스 제품이 실제 Dell 서버에 어떻게 통합되는지 직접 볼 수 있었다.
▲ 기조연설을 하는 주영표 부사장 겸 시스템 아키텍처 부문장
올해 행사는 SK하이닉스가 서울에서 열린 DTF에서 처음으로 기조연설을 했다는 점에서 더욱 의미가 있었다. 기조연설자로 나선 주 부사장은 "보이지 않는 엔진: AI 시대를 완성하는 기술"이라는 주제로 차세대 메모리 솔루션이 AI 시대를 어떻게 완성하는지 설명했다.
"메모리 기술은 표면적으로 보이지 않을 수 있지만, 저장부터 시스템까지 모든 영역에서 AI 성능을 결정하는 AI 시대의 핵심 동력"이라고 그는 강조했다. "SK하이닉스는 AI가 잠재력을 최대한 발휘할 수 있도록 기술 혁신을 꾸준히 발전시키고 있다."
▲ NAND 제품 기획의 양철훈 테크니컬 리더가 발표를 진행하고 있다
브레이크아웃 세션에서는 NAND 제품 기획의 양철훈 테크니컬 리더와 NAND 제품 기획의 강현수 테크니컬 리더가 함께 무대에 올라 "AI 시대를 위한 eSSD 및 cSSD 솔루션과 Dell과의 협업 포트폴리오"라는 제목의 발표를 진행했다. 양 리더는 AI 데이터센터에서 사용되는 메모리 솔루션의 효율을 높이기 위한 eSSD 분야의 여러 진행 중인 기술 혁신을 소개했다. 이어 강 리더는 온디바이스 AI 환경을 위해 차세대 cSSD가 충족해야 할 기술 요구사항과 이를 달성하기 위한 ongoing 노력을 공유했다.
SK하이닉스는 "이번 DTF 참가를 통해 핵심 파트너인 Dell과의 협력을 더욱 강화하고 풀스택 AI 메모리 창조자로서 SK하이닉스의 기술 역량을 널리 알렸다"고 밝혔다. 회사는 "AI 시대를 이끄는 주요 글로벌 빅테크 기업들과 다양한 방식으로 전략적 파트너십을 계속 확대하고, AI 메모리 시장에서 확보한 리더십을 강화해 나갈 것"이라고 덧붙였다.
[영상 3](https://www.youtube.com/watch?v=Qwacxyjsuas)
브리프용 요약 초안
SK하이닉스가 DTF 2026에서 HBM4·HBM4E, 192GB SOCAMM2, 256GB 3DS RDIMM, QLC eSSD 등 AI 인프라용 전체 메모리 라인업을 전시하고 서울 DTF 첫 기조연설을 진행했다. Dell과의 협력 강화가 재확인됐으나 구체적 공급 물량·매출 수치는 공개되지 않았다. 서버향 SOCAMM2와 모바일 LPDDR은 구분해 해석해야 한다.
원문 텍스트
원문 열기 ↗SK hynix has been broadening its collaboration with its strategic partner Dell Technologies (Dell). Following Dell Technologies World 2026, held in May in Las Vegas, US, SK hynix participated in the Dell Technologies Forum 2026 (DTF), held on Aug 25th at COEX in Seoul. During the latest event, the two companies reaffirmed their strong trust, while showcasing a wide array of next-generation AI memory solutions.
Dell hosts its Technologies Forum across major cities worldwide to strengthen collaboration with its key business partners in each region. As a core partner of Dell,
SK hynix has continuously participated in the forum held in Seoul since 2023. This year in particular, SK hynix presented a product portfolio spanning the entire memory hierarchy, targeting an AI infrastructure market that is expanding rapidly amid the swift advancement of AI technology. In doing so, the company once again proved its technological leadership in the AI era.
▲ Visitors explore SK hynix’s exhibition booth
SK hynix put considerable effort into this exhibition’s design to visually express its identity as a full-stack AI memory creator. The first thing visitors saw upon entering the booth was the front media signage, which drew their attention with media art highlighting the essential role AI memory plays in bringing AI into everyday life. The back wall was decorated with graphics conveying SK hynix’s vision and direction to build efficient, reliable AI infrastructure through its AI memory solutions, reinforcing a cohesive message throughout the booth.
▲ Visitors examine product information on the display screen
Above all, visitors showed strong interest in the “server rack” exhibition space specially prepared for this year’s DTF. This interactive experience featured a touchscreen mounted on the front of a structure shaped like an AI server rack, The product details appear on the touchscreen when the structure was touched, it allowed visitors to intuitively grasp the role and importance of SK hynix products within an actual server system.
▲ The internal structure of the Scalable Data Server and the SK hynix products positioned in each area
The eSSD products featured in the Scalable Data Server includ the PEB210 E1.S, which supports Direct Liquid Cooling (DLC); the PS1110 E3.S, which delivers high capacity and low power consumption in the NVMe* E3.S form factor; and the PS1101 E3.S, SK hynix’s first QLC*-based eSSD. The Server DRAM lineup was displayed side by side: the 256GB 3DS* RDIMM*, which achieves the industry’s largest capacity; the 128GB MRDIMM*, optimized for high-performance computing environments with its high bandwidth; and the 64GB RDIMM, which delivers fast speeds and high power efficiency, built on the world’s first 10-nanometer (nm) class sixth-generation (1c)* process technology. Visitors could also find detailed information on the second-generation
CMM (CXL* Memory Module)-DDR5*, another product featured in the Scalable Data Server.
* NVMe (Non-Volatile Memory Express): A communication protocol for non-volatile memory based on the PCIe interface. Compared to the conventional SATA interface, it is optimized for ultra-high-speed,
high-capacity data processing.
* QLC: NAND flash memory is classified by the number of bits stored per cell — SLC (Single Level Cell, 1 bit),
MLC (Multi Level Cell, 2 bits), TLC (Triple Level Cell, 3 bits), and QLC (Quadruple Level Cell, 4 bits). As storage capacity increases, more data can be stored in the same area.
* 3DS (3D Stacked Memory): High-performance memory that vertically connects two or more DRAM chips using TSV (Through-Silicon Via).
* RDIMM (Registered Dual In-line Memory Module): A server memory module composed of multiple DRAM chips.
* MRDIMM (Multiplexed Rank Dual In-line Memory Module): A product with significantly enhanced speed achieved by operating two ranks — the module’s basic operating units — simultaneously.
* The 10-nanometer (nm) class process technology has progressed sequentially through generations 1x, 1y, 1z, 1a, 1b, and 1c (sixth generation).
* CXL (Compute Express Link): An interface technology that efficiently connects memory, processors, and other components within a system to expand the limits of bandwidth and capacity.
* CMM-DDR5: A product that expands system capacity by 50% and increases bandwidth by 30% compared to conventional DDR5 modules, achieving a data processing capability of 36GB per second.
▲ Information and introduction videos on the HBM product lineup
The products featured in the Hyper-Speed AI Server include the HBM* lineup — HBM3E, HBM4, and HBM4E — along with the 192GB SOCAMM2*, which improves power and space efficiency with its new form factor.
* HBM (High Bandwidth Memory): A high-value, high-performance product that vertically connects multiple DRAM chips to increase capacity and dramatically enhance data processing speed. HBM has been developed in sequence: 1st generation (HBM), 2nd generation (HBM2), 3rd generation (HBM2E), 4th generation (HBM3), 5th generation (HBM3E), and 6th generation (HBM4).
* SOCAMM2 (Small Outline Compression Attached Memory Module): A memory module form factor based on low-power DRAM, specialized and optimized for AI servers. SK hynix has announced the mass production of its 192GB SOCAMM2 built on 1cnm LPDDR5X.
▲ The ‘Product & System’ exhibition space, where visitors could explore SK hynix’s diverse AI memory products
Above the front media signage, the “Product & System” exhibition space was organized into four zones: HBM, AI DRAM, AI NAND, and AI Reality. In the “HBM” zone on the far left, an actual HBM4 wafer was displayed alongside HBM4 and HBM4E products, drawing visitors in.
Next to it, the “AI DRAM” and “AI NAND” zones were arranged side by side, allowing visitors to view actual units and detailed specifications of key AI memory products backed by SK hynix’s partnership with Dell Technologies. The “AI DRAM” zone featured a versatile DRAM lineup optimized for AI server and PC environments, including SOCAMM2,
3DS RDIMM, RDIMM, CSODIMM*, LPCAMM2*, LPDDR*5X, and GDDR7. The “AI NAND” zone showcased a broad portfolio of eSSDs and cSSDs, led by SK hynix’s first QLC eSSD (PS1101) and its first QLC cSSD (PQC21), including the PS1101 E3.S, PEB210 E1.S,
PEB210 M.2, PCB01, PVF01, PQF02A/PQF02, and PQC21.
* CSODIMM (Compression Attached Small Outline DIMM): A next-generation memory module with a thinner, more compact form factor than conventional SODIMM, designed to enable high capacity in AI PCs and high-performance laptops.
* LPCAMM2 (Low-Power Compression Attached Memory Module): An LPDDR5X-based module that delivers the performance of two conventional DDR5-based SODIMMs (modules for laptops and small PCs) while providing space savings along with low power consumption and high performance.
* LPDDR: The latest mobile DRAM product with low-power operating characteristics. The name is prefixed with LP (Low Power), and it has been developed in sequence: LPDDR1, 2, 3, 4, 4X, 5, 5X, and 6.
▲ Dell's senior executives visit SK hynix's exhibition booth
The “AI Reality” zone was placed on the far right of the display stand. Here, next to Dell’s R770 server system, actual units of SK hynix’s certified products installed in it — the 6400MT/s DDR5 RDIMM and the PS1010 E3.S — were displayed side by side, allowing visitors to see firsthand how SK hynix’s products are integrated into an actual Dell server.
▲ Youngpyo Joo, Vice President andhead of the System Architecture department, delivers the keynote
This year’s event carried extra significance, as SK hynix delivered a keynote for the first time at a DTF held in Seoul. Taking the stage as a keynote speaker, Vice President Joo explained how next-generation memory solutions are completing the AI era, under the theme “The Invisible Engine: The Technology That Completes the AI Era.”
“Memory technology may not be visible on the surface, but it is the core driving force of the AI era, determining AI performance across every domain from storage to systems,” he emphasized. “SK hynix is steadily advancing its technological innovation so that AI can realize its full potential.”
▲ Technical Leader Cheolhoon Yang of NAND Product Planning delivers a presentation
At the Breakout Session, Technical Leader Cheolhoon Yang of NAND Product Planning and Technical Leader Hyunsoo Kang of NAND Product Planning took the stage together to deliver a presentation titled “eSSD and cSSD Solutions for the AI Era and the Collaboration Portfolio with Dell.” Yang introduced several ongoing technology innovations in the eSSD field aimed at improving the efficiency of memory solutions used in AI data centers. Kang then shared the technical requirements that next-generation cSSDs must meet for on-device AI environments, along with the ongoing efforts to achieve them.
SK hynix stated, “By participating in this DTF, we further strengthened our collaboration with our key partner, Dell, and widely showcased SK hynix’s technological capabilities as a full-stack AI memory creator.” The company added, “We will continue to expand our strategic partnerships in various ways with the major global big tech companies leading the AI era, while strengthening the leading position we have secured in the AI memory market.”
[Video 3](https://www.youtube.com/watch?v=Qwacxyjsuas)
Dell hosts its Technologies Forum across major cities worldwide to strengthen collaboration with its key business partners in each region. As a core partner of Dell,
SK hynix has continuously participated in the forum held in Seoul since 2023. This year in particular, SK hynix presented a product portfolio spanning the entire memory hierarchy, targeting an AI infrastructure market that is expanding rapidly amid the swift advancement of AI technology. In doing so, the company once again proved its technological leadership in the AI era.
▲ Visitors explore SK hynix’s exhibition booth
SK hynix put considerable effort into this exhibition’s design to visually express its identity as a full-stack AI memory creator. The first thing visitors saw upon entering the booth was the front media signage, which drew their attention with media art highlighting the essential role AI memory plays in bringing AI into everyday life. The back wall was decorated with graphics conveying SK hynix’s vision and direction to build efficient, reliable AI infrastructure through its AI memory solutions, reinforcing a cohesive message throughout the booth.
▲ Visitors examine product information on the display screen
Above all, visitors showed strong interest in the “server rack” exhibition space specially prepared for this year’s DTF. This interactive experience featured a touchscreen mounted on the front of a structure shaped like an AI server rack, The product details appear on the touchscreen when the structure was touched, it allowed visitors to intuitively grasp the role and importance of SK hynix products within an actual server system.
▲ The internal structure of the Scalable Data Server and the SK hynix products positioned in each area
The eSSD products featured in the Scalable Data Server includ the PEB210 E1.S, which supports Direct Liquid Cooling (DLC); the PS1110 E3.S, which delivers high capacity and low power consumption in the NVMe* E3.S form factor; and the PS1101 E3.S, SK hynix’s first QLC*-based eSSD. The Server DRAM lineup was displayed side by side: the 256GB 3DS* RDIMM*, which achieves the industry’s largest capacity; the 128GB MRDIMM*, optimized for high-performance computing environments with its high bandwidth; and the 64GB RDIMM, which delivers fast speeds and high power efficiency, built on the world’s first 10-nanometer (nm) class sixth-generation (1c)* process technology. Visitors could also find detailed information on the second-generation
CMM (CXL* Memory Module)-DDR5*, another product featured in the Scalable Data Server.
* NVMe (Non-Volatile Memory Express): A communication protocol for non-volatile memory based on the PCIe interface. Compared to the conventional SATA interface, it is optimized for ultra-high-speed,
high-capacity data processing.
* QLC: NAND flash memory is classified by the number of bits stored per cell — SLC (Single Level Cell, 1 bit),
MLC (Multi Level Cell, 2 bits), TLC (Triple Level Cell, 3 bits), and QLC (Quadruple Level Cell, 4 bits). As storage capacity increases, more data can be stored in the same area.
* 3DS (3D Stacked Memory): High-performance memory that vertically connects two or more DRAM chips using TSV (Through-Silicon Via).
* RDIMM (Registered Dual In-line Memory Module): A server memory module composed of multiple DRAM chips.
* MRDIMM (Multiplexed Rank Dual In-line Memory Module): A product with significantly enhanced speed achieved by operating two ranks — the module’s basic operating units — simultaneously.
* The 10-nanometer (nm) class process technology has progressed sequentially through generations 1x, 1y, 1z, 1a, 1b, and 1c (sixth generation).
* CXL (Compute Express Link): An interface technology that efficiently connects memory, processors, and other components within a system to expand the limits of bandwidth and capacity.
* CMM-DDR5: A product that expands system capacity by 50% and increases bandwidth by 30% compared to conventional DDR5 modules, achieving a data processing capability of 36GB per second.
▲ Information and introduction videos on the HBM product lineup
The products featured in the Hyper-Speed AI Server include the HBM* lineup — HBM3E, HBM4, and HBM4E — along with the 192GB SOCAMM2*, which improves power and space efficiency with its new form factor.
* HBM (High Bandwidth Memory): A high-value, high-performance product that vertically connects multiple DRAM chips to increase capacity and dramatically enhance data processing speed. HBM has been developed in sequence: 1st generation (HBM), 2nd generation (HBM2), 3rd generation (HBM2E), 4th generation (HBM3), 5th generation (HBM3E), and 6th generation (HBM4).
* SOCAMM2 (Small Outline Compression Attached Memory Module): A memory module form factor based on low-power DRAM, specialized and optimized for AI servers. SK hynix has announced the mass production of its 192GB SOCAMM2 built on 1cnm LPDDR5X.
▲ The ‘Product & System’ exhibition space, where visitors could explore SK hynix’s diverse AI memory products
Above the front media signage, the “Product & System” exhibition space was organized into four zones: HBM, AI DRAM, AI NAND, and AI Reality. In the “HBM” zone on the far left, an actual HBM4 wafer was displayed alongside HBM4 and HBM4E products, drawing visitors in.
Next to it, the “AI DRAM” and “AI NAND” zones were arranged side by side, allowing visitors to view actual units and detailed specifications of key AI memory products backed by SK hynix’s partnership with Dell Technologies. The “AI DRAM” zone featured a versatile DRAM lineup optimized for AI server and PC environments, including SOCAMM2,
3DS RDIMM, RDIMM, CSODIMM*, LPCAMM2*, LPDDR*5X, and GDDR7. The “AI NAND” zone showcased a broad portfolio of eSSDs and cSSDs, led by SK hynix’s first QLC eSSD (PS1101) and its first QLC cSSD (PQC21), including the PS1101 E3.S, PEB210 E1.S,
PEB210 M.2, PCB01, PVF01, PQF02A/PQF02, and PQC21.
* CSODIMM (Compression Attached Small Outline DIMM): A next-generation memory module with a thinner, more compact form factor than conventional SODIMM, designed to enable high capacity in AI PCs and high-performance laptops.
* LPCAMM2 (Low-Power Compression Attached Memory Module): An LPDDR5X-based module that delivers the performance of two conventional DDR5-based SODIMMs (modules for laptops and small PCs) while providing space savings along with low power consumption and high performance.
* LPDDR: The latest mobile DRAM product with low-power operating characteristics. The name is prefixed with LP (Low Power), and it has been developed in sequence: LPDDR1, 2, 3, 4, 4X, 5, 5X, and 6.
▲ Dell's senior executives visit SK hynix's exhibition booth
The “AI Reality” zone was placed on the far right of the display stand. Here, next to Dell’s R770 server system, actual units of SK hynix’s certified products installed in it — the 6400MT/s DDR5 RDIMM and the PS1010 E3.S — were displayed side by side, allowing visitors to see firsthand how SK hynix’s products are integrated into an actual Dell server.
▲ Youngpyo Joo, Vice President andhead of the System Architecture department, delivers the keynote
This year’s event carried extra significance, as SK hynix delivered a keynote for the first time at a DTF held in Seoul. Taking the stage as a keynote speaker, Vice President Joo explained how next-generation memory solutions are completing the AI era, under the theme “The Invisible Engine: The Technology That Completes the AI Era.”
“Memory technology may not be visible on the surface, but it is the core driving force of the AI era, determining AI performance across every domain from storage to systems,” he emphasized. “SK hynix is steadily advancing its technological innovation so that AI can realize its full potential.”
▲ Technical Leader Cheolhoon Yang of NAND Product Planning delivers a presentation
At the Breakout Session, Technical Leader Cheolhoon Yang of NAND Product Planning and Technical Leader Hyunsoo Kang of NAND Product Planning took the stage together to deliver a presentation titled “eSSD and cSSD Solutions for the AI Era and the Collaboration Portfolio with Dell.” Yang introduced several ongoing technology innovations in the eSSD field aimed at improving the efficiency of memory solutions used in AI data centers. Kang then shared the technical requirements that next-generation cSSDs must meet for on-device AI environments, along with the ongoing efforts to achieve them.
SK hynix stated, “By participating in this DTF, we further strengthened our collaboration with our key partner, Dell, and widely showcased SK hynix’s technological capabilities as a full-stack AI memory creator.” The company added, “We will continue to expand our strategic partnerships in various ways with the major global big tech companies leading the AI era, while strengthening the leading position we have secured in the AI memory market.”
[Video 3](https://www.youtube.com/watch?v=Qwacxyjsuas)