MEMORY INDUSTRY INTELLIGENCE
SK하이닉스, 샌디스크와 함께 최초의 HBF 표준 사양 공개, 'FMS 2026'에서 AI 메모리 솔루션 제시 | SK하이닉스 뉴스룸
한국어 번역·요약·분석
원문 제목: SK hynix Unveils First HBF Standard Specifications with Sandisk, Presenting AI Memory Solutions at ‘FMS 2026’ | SK hynix Newsroom
핵심 요약
SK하이닉스가 샌디스크와 협력하여 OCP를 통해 최초의 HBF(High Bandwidth Flash) 표준 사양을 공개했다. HBF는 HBM과 SSD 사이의 새로운 메모리 계층으로, 최대 512GB 용량과 0.4TB/s~3.0TB/s 대역폭(Grade1~3)을 제공하며 UCIe 인터커넥트를 채택한다. 컨소시엄에는 구글과 텐스토렌트가 참여 중이며, FMS 2026에서 김천성 부사장과 강욱송 부사장이 기조연설을, 임의철 부사장 등이 패널 토론을 진행한다. 또한 개발 중인 10세대(V10) 375단 4D NAND 웨이퍼를 최초 공개하며, 전력 효율이 이전 세대 대비 2.5배 향상되었고 내년 초 양산 계획이다.
메모리 산업 영향 분석
SK하이닉스와 샌디스크가 OCP를 통해 HBF 표준 사양을 공개한 것은 메모리 산업에서 HBM과 SSD 사이의 새로운 계층을 정의하려는 시도로, 향후 AI 인프라의 메모리 아키텍처에 영향을 줄 수 있다. HBF는 NAND 기반이지만 HBM과 유사한 고속 전송을 목표로 하며, UCIe 인터커넥트를 채택해 GPU·CPU 등 다양한 프로세서와 통합될 수 있다. 이는 서버 DRAM/HBM 수요를 직접 대체하기보다는 계층형 메모리 구조에서 보완적 역할을 할 가능성이 있으나, 실제 채택 규모와 시점은 미확인이다. 375단 4D NAND는 eSSD용으로 내년 초 양산 계획이며, 전력 효율 2.5배 향상은 AI 데이터센터의 eSSD 수요에 긍정적일 수 있다. 다만 HBF의 상용화 일정, 고객 채택, 가격, 성능 검증은 아직 구체적으로 확인되지 않았다. 메모리 산업과의 직접 연결은 HBF 표준화 및 375단 NAND 양산 계획을 통해 확인되나, 단기적 재무 영향은 불확실하다.
한국어 번역 읽기
수집된 원문 v1의 전체 본문 기준 · 8372자
**▪ 컨소시엄 출범 6개월 만에 최초의 HBF 표준 공개, 구글·텐스토렌트 참여로 생태계 확장
▪ 개막일 SK하이닉스 김천성 부사장과 강욱송 부사장의 기조연설, '계층형 메모리' 기반 차세대 AI 인프라 솔루션 제시
▪ 구글 딥마인드·샌디스크와 'HBF로 메모리 장벽 허물기' 패널 토론
▪ 전시 부스에서 10세대(V10) 375단 4D NAND 최초 공개, 전력 효율 2.5배 향상
▪ "HBF 기술로 메모리와 스토리지의 경계를 확장… 시스템 효율을 높이는 새로운 아키텍처에 기여"**
▲ SK하이닉스는 8월 4일 OCP를 통해 샌디스크와 협력하여 차세대 스토리지 기술인 HBF(High Bandwidth Flash)의 최초 표준 사양을 공개했다고 발표했다.
**서울, 2026년 8월 4일 –** SK하이닉스 주식회사(이하 "회사", [www.skhynix.com](http://www.skhynix.com/))는 오늘 샌디스크와 협력하여 차세대 스토리지 기술인 HBF(High Bandwidth Flash)의 최초 표준 사양을 공개했다고 발표했다.
이번 발표는 8월 4일부터 6일(현지 시간)까지 캘리포니아 산타클라라 컨벤션 센터에서 열리는 'FMS(Future of Memory and Storage) 2026' 개막과 동시에 이루어졌다. 회사는 행사 기간 중 기조연설과 패널 토론을 통해 AI 시대의 메모리 병목 현상을 극복하기 위한 핵심 기술로 HBF를 제시할 예정이다.
HBF 기술은 HBM과 SSD 사이의 새로운 메모리 계층이다. HBM과 유사한 고속 데이터 전송을 가능하게 하면서 NAND 기술을 활용해 용량을 크게 확장한다. AI 추론의 확산으로 처리해야 할 데이터 양이 급증하면서, HBF는 대역폭과 용량 확장성 문제를 동시에 해결하는 기술로 주목받고 있다.
이번 이정표는 지난 2025년 8월 샌디스크와의 초기 표준화 파트너십에 이어 올해 2월 컨소시엄을 출범한 지 약 6개월 만에 이루어졌다. 용량 사양은 두 가지 스택 구성(8단 및 16단 NAND 다이)을 기반으로 최대 512GB를 포괄한다. 대역폭은 세 가지 등급(Grade1~3)으로 분류되며, 약 0.4TB/s에서 3.0TB/s까지 확장 가능한 성능을 제공한다.
핵심 하이라이트는 HBF 기술과 프로세서를 연결하는 인터커넥트다. HBF 기술은 산업 표준 연결 인터페이스인 UCIe*를 채택하여 GPU와 CPU를 포함한 다양한 프로세서 유형에 HBF 기술을 유연하게 통합할 수 있는 기반을 마련했다.
* UCIe(Universal Chiplet Interconnect Express): 이종 반도체 칩렛의 고속 상호 연결을 위해 설계된 개방형 표준 인터페이스 사양.
이 표준은 또한 ▲연결 인터페이스 및 전기적 특성, ▲HBF 다이 스택 공정을 위한 신뢰성 및 패키징 가이드라인, ▲소프트웨어 I/O 가이드라인을 설명한다.
이 사양은 세계 최대 개방형 데이터센터 기술 이니셔티브인 OCP(Open Compute Project)를 통해 공개되어, 독점 기술이 아닌 전체 산업을 위한 개방형 표준으로 자리매김했다.
SK하이닉스는 이번 발표를 활용하여 AI 스토리지 시장에서 HBF 기술의 채택을 확대하고 주변 생태계를 육성할 계획이다. 현재 구글과 텐스토렌트가 HBF 컨소시엄에 참여하고 있으며, 컨소시엄은 개방형 협업을 기반으로 기술 성숙도와 시장 수용성을 높이면서 범위를 확장하는 것을 목표로 한다.
FMS 2026 개막일(현지 시간 8월 4일), SK하이닉스 김천성 부사장(솔루션 개발 총괄)과 강욱송 부사장(차세대 제품 기획 총괄)이 '에이전틱 AI 시대의 계층형 메모리를 통한 효율적인 AI 인프라 조율'이라는 제목으로 공동 기조연설을 할 예정이다.
에이전틱 AI*가 빠르게 상용화됨에 따라 처리해야 할 데이터 양이 급증하고 더 높은 속도와 효율성에 대한 요구도 커지고 있다. 단일 메모리 유형으로는 이러한 복잡한 과제를 해결할 수 없다고 인식한 두 연사는 다양한 메모리 유형을 하나의 시스템으로 연결하고 최적화하는 프레임워크인 '계층형 메모리' 기반 차세대 아키텍처의 필요성과 미래 방향을 제시할 예정이다.
* 에이전틱 AI: 인간의 개입 없이 자율적으로 목표를 설정하고 계획을 수립하며 작업을 실행할 수 있는 고급 에이전트 AI 시스템.
8월 6일에는 SK하이닉스 임의철 부사장(솔루션 AT 총괄), 샌디스크 라지브 나가비라바 부사장, 구글 딥마인드 샤오위 마 선임 스태프 엔지니어가 'HBF로 메모리 장벽 허물기'라는 제목의 패널 토론에 참여한다. 메모리, 스토리지, AI 분야의 주요 리더들이 모여 AI 인프라 전반의 메모리 아키텍처 근본적 변화를 검토하고, 혁신적 솔루션으로서 HBF의 잠재력과 역할을 조명할 예정이다.
또한 SK하이닉스는 FMS 2026 기간 내내 전시 부스를 운영하며 파트너십 존, 차세대 기술 존, 테크 세션을 선보인다.
특히 회사는 현재 개발 중인 10세대(V10) 375단 4D NAND 웨이퍼와 제품을 최초로 공개한다. 375단 4D NAND는 이전 세대 대비 와트당 성능을 2.5배 향상시켜, 높은 전력 효율과 성능을 요구하는 데이터센터와 같은 AI 인프라 환경에 최적화되어 있다. 회사는 내년 초 375단 4D NAND 기반의 고성능·고용량 eSSD 양산을 시작하여 AI NAND 시장에서 리더십을 강화할 계획이다.
SK하이닉스는 또한 모바일, PC, 자동차, 로봇에 이르는 다양한 제품 라인업을 전시하여 AI 시대에 메모리 기술 경쟁력과 고객과의 협력 성과를 보여줄 예정이다.
"AI 애플리케이션의 빠른 확산으로 전체 데이터 처리 구조를 재설계해야 하는 시점에 와 있다"고 SK하이닉스 김천성 솔루션 개발 총괄 부사장은 말하며, "HBF를 통해 SK하이닉스는 메모리와 스토리지의 경계를 확장하고 전체 시스템 효율을 높이는 새로운 아키텍처 구축에 기여할 것"이라고 덧붙였다.
▲ FMS 2026에서 SK하이닉스 전시 부스 렌더링.
[Video 3](https://www.youtube.com/watch?v=VMbPrcx2oIg)
**SK하이닉스 주식회사 소개**
한국에 본사를 둔 SK하이닉스 주식회사는 전 세계적으로 다양한 고객에게 DRAM(Dynamic Random Access Memory) 칩과 낸드 플래시(NAND flash) 메모리 칩을 공급하는 세계 최고 수준의 반도체 공급업체다. 회사의 보통주는 한국거래소에, 미국 예탁주식은 나스닥에, 글로벌 예탁주식은 룩셈부르크 증권거래소에 상장되어 있다. SK하이닉스에 대한 추가 정보는 [www.skhynix.com](http://www.skhynix.com/), [news.skhynix.com](http://news.skhynix.com/)에서 확인할 수 있다.
**미래예측진술**
이 보도자료는 위험과 불확실성을 수반하는 미래예측진술을 포함할 수 있다. 이러한 진술은 일반적으로 "may," "will," "intend," "should," "believe," "expect," "anticipate," "project," "estimate" 및 유사한 표현 또는 그러한 표현의 부정형으로 식별된다. 미래예측진술은 미래 성과를 보장하지 않으며, 실제 결과가 표현되거나 암시된 것과 중대하게 다를 수 있는 내재적 위험, 불확실성 및 기타 요인에 영향을 받는다. 독자는 이러한 미래예측진술에 과도하게 의존하지 않도록 주의해야 한다. 이러한 미래예측진술은 이 날짜 현재의 것만을 말한다. SK하이닉스는 법률에서 요구하지 않는 한 이 보도자료 이후의 사건이나 상황을 반영하거나 실제 결과를 반영하기 위해 이러한 미래예측진술을 업데이트할 의무를 지지 않는다.
이 보도자료는 정보 제공 목적으로만 제공되며, 어떤 관할권에서도 증권을 판매하거나 구매 제안을 권유하는 것이 아니다. 이 보도자료의 어떤 부분도 계약, 약정 또는 투자 결정의 기초가 되거나 이와 관련하여 의존되어서는 안 된다.
**미디어 연락처**
SK하이닉스 주식회사
글로벌 홍보
_기술 리더_
박범선
이메일: [global_pr@skhynix.com](http://global_pr@skhynix.com/)
▪ 개막일 SK하이닉스 김천성 부사장과 강욱송 부사장의 기조연설, '계층형 메모리' 기반 차세대 AI 인프라 솔루션 제시
▪ 구글 딥마인드·샌디스크와 'HBF로 메모리 장벽 허물기' 패널 토론
▪ 전시 부스에서 10세대(V10) 375단 4D NAND 최초 공개, 전력 효율 2.5배 향상
▪ "HBF 기술로 메모리와 스토리지의 경계를 확장… 시스템 효율을 높이는 새로운 아키텍처에 기여"**
▲ SK하이닉스는 8월 4일 OCP를 통해 샌디스크와 협력하여 차세대 스토리지 기술인 HBF(High Bandwidth Flash)의 최초 표준 사양을 공개했다고 발표했다.
**서울, 2026년 8월 4일 –** SK하이닉스 주식회사(이하 "회사", [www.skhynix.com](http://www.skhynix.com/))는 오늘 샌디스크와 협력하여 차세대 스토리지 기술인 HBF(High Bandwidth Flash)의 최초 표준 사양을 공개했다고 발표했다.
이번 발표는 8월 4일부터 6일(현지 시간)까지 캘리포니아 산타클라라 컨벤션 센터에서 열리는 'FMS(Future of Memory and Storage) 2026' 개막과 동시에 이루어졌다. 회사는 행사 기간 중 기조연설과 패널 토론을 통해 AI 시대의 메모리 병목 현상을 극복하기 위한 핵심 기술로 HBF를 제시할 예정이다.
HBF 기술은 HBM과 SSD 사이의 새로운 메모리 계층이다. HBM과 유사한 고속 데이터 전송을 가능하게 하면서 NAND 기술을 활용해 용량을 크게 확장한다. AI 추론의 확산으로 처리해야 할 데이터 양이 급증하면서, HBF는 대역폭과 용량 확장성 문제를 동시에 해결하는 기술로 주목받고 있다.
이번 이정표는 지난 2025년 8월 샌디스크와의 초기 표준화 파트너십에 이어 올해 2월 컨소시엄을 출범한 지 약 6개월 만에 이루어졌다. 용량 사양은 두 가지 스택 구성(8단 및 16단 NAND 다이)을 기반으로 최대 512GB를 포괄한다. 대역폭은 세 가지 등급(Grade1~3)으로 분류되며, 약 0.4TB/s에서 3.0TB/s까지 확장 가능한 성능을 제공한다.
핵심 하이라이트는 HBF 기술과 프로세서를 연결하는 인터커넥트다. HBF 기술은 산업 표준 연결 인터페이스인 UCIe*를 채택하여 GPU와 CPU를 포함한 다양한 프로세서 유형에 HBF 기술을 유연하게 통합할 수 있는 기반을 마련했다.
* UCIe(Universal Chiplet Interconnect Express): 이종 반도체 칩렛의 고속 상호 연결을 위해 설계된 개방형 표준 인터페이스 사양.
이 표준은 또한 ▲연결 인터페이스 및 전기적 특성, ▲HBF 다이 스택 공정을 위한 신뢰성 및 패키징 가이드라인, ▲소프트웨어 I/O 가이드라인을 설명한다.
이 사양은 세계 최대 개방형 데이터센터 기술 이니셔티브인 OCP(Open Compute Project)를 통해 공개되어, 독점 기술이 아닌 전체 산업을 위한 개방형 표준으로 자리매김했다.
SK하이닉스는 이번 발표를 활용하여 AI 스토리지 시장에서 HBF 기술의 채택을 확대하고 주변 생태계를 육성할 계획이다. 현재 구글과 텐스토렌트가 HBF 컨소시엄에 참여하고 있으며, 컨소시엄은 개방형 협업을 기반으로 기술 성숙도와 시장 수용성을 높이면서 범위를 확장하는 것을 목표로 한다.
FMS 2026 개막일(현지 시간 8월 4일), SK하이닉스 김천성 부사장(솔루션 개발 총괄)과 강욱송 부사장(차세대 제품 기획 총괄)이 '에이전틱 AI 시대의 계층형 메모리를 통한 효율적인 AI 인프라 조율'이라는 제목으로 공동 기조연설을 할 예정이다.
에이전틱 AI*가 빠르게 상용화됨에 따라 처리해야 할 데이터 양이 급증하고 더 높은 속도와 효율성에 대한 요구도 커지고 있다. 단일 메모리 유형으로는 이러한 복잡한 과제를 해결할 수 없다고 인식한 두 연사는 다양한 메모리 유형을 하나의 시스템으로 연결하고 최적화하는 프레임워크인 '계층형 메모리' 기반 차세대 아키텍처의 필요성과 미래 방향을 제시할 예정이다.
* 에이전틱 AI: 인간의 개입 없이 자율적으로 목표를 설정하고 계획을 수립하며 작업을 실행할 수 있는 고급 에이전트 AI 시스템.
8월 6일에는 SK하이닉스 임의철 부사장(솔루션 AT 총괄), 샌디스크 라지브 나가비라바 부사장, 구글 딥마인드 샤오위 마 선임 스태프 엔지니어가 'HBF로 메모리 장벽 허물기'라는 제목의 패널 토론에 참여한다. 메모리, 스토리지, AI 분야의 주요 리더들이 모여 AI 인프라 전반의 메모리 아키텍처 근본적 변화를 검토하고, 혁신적 솔루션으로서 HBF의 잠재력과 역할을 조명할 예정이다.
또한 SK하이닉스는 FMS 2026 기간 내내 전시 부스를 운영하며 파트너십 존, 차세대 기술 존, 테크 세션을 선보인다.
특히 회사는 현재 개발 중인 10세대(V10) 375단 4D NAND 웨이퍼와 제품을 최초로 공개한다. 375단 4D NAND는 이전 세대 대비 와트당 성능을 2.5배 향상시켜, 높은 전력 효율과 성능을 요구하는 데이터센터와 같은 AI 인프라 환경에 최적화되어 있다. 회사는 내년 초 375단 4D NAND 기반의 고성능·고용량 eSSD 양산을 시작하여 AI NAND 시장에서 리더십을 강화할 계획이다.
SK하이닉스는 또한 모바일, PC, 자동차, 로봇에 이르는 다양한 제품 라인업을 전시하여 AI 시대에 메모리 기술 경쟁력과 고객과의 협력 성과를 보여줄 예정이다.
"AI 애플리케이션의 빠른 확산으로 전체 데이터 처리 구조를 재설계해야 하는 시점에 와 있다"고 SK하이닉스 김천성 솔루션 개발 총괄 부사장은 말하며, "HBF를 통해 SK하이닉스는 메모리와 스토리지의 경계를 확장하고 전체 시스템 효율을 높이는 새로운 아키텍처 구축에 기여할 것"이라고 덧붙였다.
▲ FMS 2026에서 SK하이닉스 전시 부스 렌더링.
[Video 3](https://www.youtube.com/watch?v=VMbPrcx2oIg)
**SK하이닉스 주식회사 소개**
한국에 본사를 둔 SK하이닉스 주식회사는 전 세계적으로 다양한 고객에게 DRAM(Dynamic Random Access Memory) 칩과 낸드 플래시(NAND flash) 메모리 칩을 공급하는 세계 최고 수준의 반도체 공급업체다. 회사의 보통주는 한국거래소에, 미국 예탁주식은 나스닥에, 글로벌 예탁주식은 룩셈부르크 증권거래소에 상장되어 있다. SK하이닉스에 대한 추가 정보는 [www.skhynix.com](http://www.skhynix.com/), [news.skhynix.com](http://news.skhynix.com/)에서 확인할 수 있다.
**미래예측진술**
이 보도자료는 위험과 불확실성을 수반하는 미래예측진술을 포함할 수 있다. 이러한 진술은 일반적으로 "may," "will," "intend," "should," "believe," "expect," "anticipate," "project," "estimate" 및 유사한 표현 또는 그러한 표현의 부정형으로 식별된다. 미래예측진술은 미래 성과를 보장하지 않으며, 실제 결과가 표현되거나 암시된 것과 중대하게 다를 수 있는 내재적 위험, 불확실성 및 기타 요인에 영향을 받는다. 독자는 이러한 미래예측진술에 과도하게 의존하지 않도록 주의해야 한다. 이러한 미래예측진술은 이 날짜 현재의 것만을 말한다. SK하이닉스는 법률에서 요구하지 않는 한 이 보도자료 이후의 사건이나 상황을 반영하거나 실제 결과를 반영하기 위해 이러한 미래예측진술을 업데이트할 의무를 지지 않는다.
이 보도자료는 정보 제공 목적으로만 제공되며, 어떤 관할권에서도 증권을 판매하거나 구매 제안을 권유하는 것이 아니다. 이 보도자료의 어떤 부분도 계약, 약정 또는 투자 결정의 기초가 되거나 이와 관련하여 의존되어서는 안 된다.
**미디어 연락처**
SK하이닉스 주식회사
글로벌 홍보
_기술 리더_
박범선
이메일: [global_pr@skhynix.com](http://global_pr@skhynix.com/)
브리프용 요약 초안
SK하이닉스가 샌디스크와 함께 OCP를 통해 최초의 HBF 표준 사양을 공개하며 HBM과 SSD 사이의 새로운 메모리 계층을 제시했다. 또한 10세대 375단 4D NAND를 최초 공개하고 내년 초 eSSD 양산 계획을 밝혀 AI NAND 시장 리더십을 강화하려 한다. HBF의 실제 채택과 양산 일정은 아직 미확인이다.
원문 텍스트
원문 열기 ↗**▪ First HBF standard showcased within six months of consortium launch, expanding the ecosystem with participation from Google, Tenstorrent
▪ Keynote by SK hynix Executive Vice President Kim Chun-sung and Vice President Kang Uk-song on opening day, offering solutions for next-generation AI infrastructure based on ‘Tiered Memory’
▪ Panel discussion with Google DeepMind·Sandisk on ‘Breaking the Memory Wall with HBF’
▪ Tenth-generation (V10) 375-layer 4D NAND unveiled for the first time at exhibition booth, offering a 2.5 times increase in power efficiency
▪ “Expanding the boundaries of memory and storage through HBF technology… contributing to new architectures that boost system efficiency”**
▲ SK hynix announced on August 4 that it has unveiled the first standard specification for High Bandwidth Flash (HBF), a next-generation storage technology, in collaboration with Sandisk through the OCP.
**Seoul, August 4, 2026 –** SK hynix Inc. (or “the company”, [www.skhynix.com](http://www.skhynix.com/)) announced today in collaboration with Sandisk that it has unveiled the first standard specifications for High Bandwidth Flash (HBF), a next-generation storage technology.
The announcement coincides with the opening of ‘FMS (Future of Memory and Storage) 2026,’ held at the Santa Clara Convention Center in California from August 4 to 6 (local time). The company is set to present HBF as a key technology to overcome memory bottlenecks in the AI era through keynote speeches and panel discussions during the event.
HBF technology is a new memory layer between HBM and SSDs. It enables high-speed data transfer similar to HBM while significantly expanding capacity by leveraging NAND technology. With the expansion of AI inference driving a surge in data volumes to process, HBF is gaining attention as a technology that simultaneously resolves bandwidth and capacity scalability challenges.
This milestone comes about six months after launching the consortium in February this year, following the initial standardization partnership with Sandisk in August 2025. Capacity specifications cover up to 512GB based on two stack configurations (8-high and 16-high NAND dies). Bandwidth is categorized into three grades (Grade1~3), delivering scalable performance from approximately 0.4TB/s to 3.0TB/s.
A key highlight is the interconnect linking HBF technology and processors. HBF technology adopts UCIe*, an industry standard connection interface, laying the groundwork to flexibly integrate HBF technology across different processor types, including GPUs and CPUs.
* UCIe (Universal Chiplet Interconnect Express): An open standard interface specification designed for high-speed interconnection of heterogeneous semiconductor chiplets.
The standard also outlines ▲connection interfaces and electrical characteristics, ▲reliability and packaging guidelines for HBF die stack process, ▲software I/O guidelines.
The specification was disclosed through the Open Compute Project (OCP), world’s largest open data center technology initiative, positioning it as an open standard for the entire industry rather than a proprietary technology.
SK hynix plans to leverage this release to expand the adoption of HBF technology in the AI storage market and foster the surrounding ecosystem. With Google and Tenstorrent currently participating in the HBF consortium, the consortium aims to expand its reach while enhancing technical maturity and market acceptance based on open collaboration.
On the opening day of FMS 2026 (August 4, local time), SK hynix Executive Vice President Kim Chun-sung (Head of Solution Development) and Vice President Kang Uk-song (Head of Next Generation Product Planning) will deliver a joint keynote address, titled ‘Orchestrating Efficient AI Infrastructure through Tiered Memory in the Era of Agentic AI.’
As Agentic AI* rapidly commercializes, the volume of data to process is surging alongside growing demands for higher speed and efficiency. Recognizing that a single memory type cannot address these complex challenges, both speakers will present the necessity and future direction of a next-generation architecture based on ‘Tiered Memory’ a framework that connects and optimizes diverse memory types into a unified system.
* Agentic AI: Advanced Agent AI systems capable of autonomously setting goals, formulating plans, and executing tasks without human intervention.
On August 6, SK hynix Vice President Lim Eui-cheol (Head of Solution AT), Sandisk Vice President Rajeev Nagabhirava and Google DeepMind Senior Staff Engineer Xiaoyu Ma will join a panel discussion titled ‘Breaking the Memory Wall with High Bandwidth Flash.’ Bringing together key leaders across memory, storage and AI, the session will examine fundamental shifts in memory architecture across AI infrastructure and highlight the potential and role of HBF as a transformative solution.
Furthermore, SK hynix will host an exhibition booth throughout FMS 2026, featuring a Partnership Zone, a Next-Generation Tech Zone and Tech Sessions.
Notably, the company will publicly reveal for the first time its tenth-generation (V10) 375-layer 4D NAND wafer and products, which are currently under development. The 375-layer 4D NAND improves performance per watt by 2.5 times compared to the previous generation, making it optimized for AI infrastructure environments like data centers that demand high power efficiency and performance. The company plans to initiate mass production of high-performance, high capacity eSSDs based on the 375-layer 4D NAND early next year to reinforce its leadership in the AI NAND market.
SK hynix will also display a versatile product lineup spanning mobile, PC, automotive and robotics, showcasing the company’s competitive edge in memory technology and its collaborative achievements with customers in the AI era.
“With the rapid spread of AI applications, we are at a point where overall data processing structures must be redesigned,” said SK hynix Executive Vice President and Head of Solution Development Kim Chun-sung, adding, “Through HBF, SK hynix will expand the boundaries between memory and storage and contribute to building new architectures that enhance overall system efficiency.”
▲ Rendering of SK hynix’s exhibition booth at FMS 2026.
[Video 3](https://www.youtube.com/watch?v=VMbPrcx2oIg)
**About SK hynix Inc.**
SK hynix Inc., headquartered in Korea, is the world’s top-tier semiconductor supplier offering Dynamic Random Access Memory chips (“DRAM”) and flash memory chips (“NAND flash”) for a wide range of distinguished customers globally. The Company’s common shares are traded on the Korea Exchange, its American Depositary Shares are traded on NASDAQ, and its Global Depository Shares are listed on the Luxembourg Stock Exchange. Further information about SK hynix is available at [www.skhynix.com](http://www.skhynix.com/), [news.skhynix.com](http://news.skhynix.com/).
**Forward-Looking Statements**
This press release may contain forward-looking statements, which involve risks and uncertainties. These statements are generally identified words such as “may,” “will,” “intend,” “should,” “believe,” “expect,” “anticipate,” “project,” “estimate” and similar expressions, or the negative of such expressions. Forward-looking statements are not guarantees of future performance and are subject to inherent risks, uncertainties, and other factors that could cause actual results to differ materially from those expressed or implied. Readers are cautioned not to place undue reliance on any of these forward-looking statements. These forward-looking statements speak only as of the date hereof. SK hynix undertakes no obligation to update any of these forward-looking statements to reflect events or circumstances after the date of this news release or to reflect actual outcomes, unless required by law.
This press release is for informational purposes only and does not constitute an offer to sell or a solicitation of an offer to buy any securities in any jurisdiction. No part of this press release should form the basis of, or be relied upon in connection with, any contract, commitment, or investment decision.
**Media Contact**
SK hynix Inc.
Global Public Relations
_Technical Leader_
Beomsun Park
E-Mail: [global_pr@skhynix.com](http://global_pr@skhynix.com/)
▪ Keynote by SK hynix Executive Vice President Kim Chun-sung and Vice President Kang Uk-song on opening day, offering solutions for next-generation AI infrastructure based on ‘Tiered Memory’
▪ Panel discussion with Google DeepMind·Sandisk on ‘Breaking the Memory Wall with HBF’
▪ Tenth-generation (V10) 375-layer 4D NAND unveiled for the first time at exhibition booth, offering a 2.5 times increase in power efficiency
▪ “Expanding the boundaries of memory and storage through HBF technology… contributing to new architectures that boost system efficiency”**
▲ SK hynix announced on August 4 that it has unveiled the first standard specification for High Bandwidth Flash (HBF), a next-generation storage technology, in collaboration with Sandisk through the OCP.
**Seoul, August 4, 2026 –** SK hynix Inc. (or “the company”, [www.skhynix.com](http://www.skhynix.com/)) announced today in collaboration with Sandisk that it has unveiled the first standard specifications for High Bandwidth Flash (HBF), a next-generation storage technology.
The announcement coincides with the opening of ‘FMS (Future of Memory and Storage) 2026,’ held at the Santa Clara Convention Center in California from August 4 to 6 (local time). The company is set to present HBF as a key technology to overcome memory bottlenecks in the AI era through keynote speeches and panel discussions during the event.
HBF technology is a new memory layer between HBM and SSDs. It enables high-speed data transfer similar to HBM while significantly expanding capacity by leveraging NAND technology. With the expansion of AI inference driving a surge in data volumes to process, HBF is gaining attention as a technology that simultaneously resolves bandwidth and capacity scalability challenges.
This milestone comes about six months after launching the consortium in February this year, following the initial standardization partnership with Sandisk in August 2025. Capacity specifications cover up to 512GB based on two stack configurations (8-high and 16-high NAND dies). Bandwidth is categorized into three grades (Grade1~3), delivering scalable performance from approximately 0.4TB/s to 3.0TB/s.
A key highlight is the interconnect linking HBF technology and processors. HBF technology adopts UCIe*, an industry standard connection interface, laying the groundwork to flexibly integrate HBF technology across different processor types, including GPUs and CPUs.
* UCIe (Universal Chiplet Interconnect Express): An open standard interface specification designed for high-speed interconnection of heterogeneous semiconductor chiplets.
The standard also outlines ▲connection interfaces and electrical characteristics, ▲reliability and packaging guidelines for HBF die stack process, ▲software I/O guidelines.
The specification was disclosed through the Open Compute Project (OCP), world’s largest open data center technology initiative, positioning it as an open standard for the entire industry rather than a proprietary technology.
SK hynix plans to leverage this release to expand the adoption of HBF technology in the AI storage market and foster the surrounding ecosystem. With Google and Tenstorrent currently participating in the HBF consortium, the consortium aims to expand its reach while enhancing technical maturity and market acceptance based on open collaboration.
On the opening day of FMS 2026 (August 4, local time), SK hynix Executive Vice President Kim Chun-sung (Head of Solution Development) and Vice President Kang Uk-song (Head of Next Generation Product Planning) will deliver a joint keynote address, titled ‘Orchestrating Efficient AI Infrastructure through Tiered Memory in the Era of Agentic AI.’
As Agentic AI* rapidly commercializes, the volume of data to process is surging alongside growing demands for higher speed and efficiency. Recognizing that a single memory type cannot address these complex challenges, both speakers will present the necessity and future direction of a next-generation architecture based on ‘Tiered Memory’ a framework that connects and optimizes diverse memory types into a unified system.
* Agentic AI: Advanced Agent AI systems capable of autonomously setting goals, formulating plans, and executing tasks without human intervention.
On August 6, SK hynix Vice President Lim Eui-cheol (Head of Solution AT), Sandisk Vice President Rajeev Nagabhirava and Google DeepMind Senior Staff Engineer Xiaoyu Ma will join a panel discussion titled ‘Breaking the Memory Wall with High Bandwidth Flash.’ Bringing together key leaders across memory, storage and AI, the session will examine fundamental shifts in memory architecture across AI infrastructure and highlight the potential and role of HBF as a transformative solution.
Furthermore, SK hynix will host an exhibition booth throughout FMS 2026, featuring a Partnership Zone, a Next-Generation Tech Zone and Tech Sessions.
Notably, the company will publicly reveal for the first time its tenth-generation (V10) 375-layer 4D NAND wafer and products, which are currently under development. The 375-layer 4D NAND improves performance per watt by 2.5 times compared to the previous generation, making it optimized for AI infrastructure environments like data centers that demand high power efficiency and performance. The company plans to initiate mass production of high-performance, high capacity eSSDs based on the 375-layer 4D NAND early next year to reinforce its leadership in the AI NAND market.
SK hynix will also display a versatile product lineup spanning mobile, PC, automotive and robotics, showcasing the company’s competitive edge in memory technology and its collaborative achievements with customers in the AI era.
“With the rapid spread of AI applications, we are at a point where overall data processing structures must be redesigned,” said SK hynix Executive Vice President and Head of Solution Development Kim Chun-sung, adding, “Through HBF, SK hynix will expand the boundaries between memory and storage and contribute to building new architectures that enhance overall system efficiency.”
▲ Rendering of SK hynix’s exhibition booth at FMS 2026.
[Video 3](https://www.youtube.com/watch?v=VMbPrcx2oIg)
**About SK hynix Inc.**
SK hynix Inc., headquartered in Korea, is the world’s top-tier semiconductor supplier offering Dynamic Random Access Memory chips (“DRAM”) and flash memory chips (“NAND flash”) for a wide range of distinguished customers globally. The Company’s common shares are traded on the Korea Exchange, its American Depositary Shares are traded on NASDAQ, and its Global Depository Shares are listed on the Luxembourg Stock Exchange. Further information about SK hynix is available at [www.skhynix.com](http://www.skhynix.com/), [news.skhynix.com](http://news.skhynix.com/).
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