G5 DRAM 플랫폼 양산 발표, 11.95nm 하프피치, 45:1 종횡비, 6,762nm 코어 높이, 디지털 트윈 플랫폼 개발, DPW 50% 이상 향상 주장, 24Gb LPDDR5X 두 제품 양산
메모리 수요 연결
스마트폰·휴대용 소비자 전자기기 대상 LPDDR5X 수요 연결(원문 확인), 서버·HBM·NAND 수요 연결 근거 없음
투자·재무 여력
원문에 투자·재무 수치 없음
투자 실행·제약
G5 플랫폼 및 LPDDR5X 양산 중이라고 발표했으나 실제 양산 규모·수율은 미확인
다음 관찰 지표
CXMT LPDDR5X 실제 출하량, 고객 채택, 수율, 가격
웨이퍼 투입량, 수율, 고객 인증, ASP
원문 인용 근거 7개 확인
CXMT가 2026년 허페이 세계제조업대회에서 5세대 DRAM 기술 플랫폼(G5 플랫폼)의 양산을 공식 발표하고 신규 LPDDR5X 제품 라인업을 공개했습니다.
CXMT officially announced the mass production of 5th-generation DRAM technology platform (the "G5 Platform") at the 2026 World Manufacturing Convention in Hefei, alongside the debut of new LPDDR5X product lineup based on the platform.
G5 플랫폼은 SAQP를 활용해 메모리 어레이 활성 영역 하프피치 11.95nm를 구현했습니다.
Half AA pitch: Leveraging an innovative quadruple patterning(SAQP) technology, G5 Platform features an active area half-pitch of 11.95nm for memory arrays, closing the gap with the world's most advanced volume-production memory platforms.
G5 플랫폼의 어레이 커패시터 종횡비는 45:1이며, HKMG 공정으로 코어 셀 어레이 높이를 6,762nm로 축소했습니다.
Aspect Ratio: Through process flow re-enginering and novel material integration, G5 Platform's array capacitor aspect ratio reaches 45:1. •Core Area Height: By implementing a DRAM-optimized high-k metal gate(HKMG) process, the G5 Platform successfully shrinks the core cell array height to 6,762 nm.
CXMT는 설계·테이프아웃·제조·수율 유지에 걸친 디지털 트윈 플랫폼을 개발했으며, 인터페이스 엔지니어링·새들핀 구조·저-k 스페이서 비트라인 등 공정 진전을 보였습니다.
Built upon existing module process, CXMT developed a digital twin platform spanning design, tape-out, manufacturing, and yield maintenance.
G5 플랫폼의 DPW는 이전 플랫폼 대비 최소 50% 높아 전력 효율과 비용 경쟁력에서 이점을 제공한다고 주장했습니다.
G5's DPW(die per wafer) is at least 50%* higher than its previous platform, delivering notable advantages in both power efficiency and cost competitiveness.
G5 기반 LPDDR5X 두 제품은 다이당 24Gb 용량으로 이전 세대 동급 대비 50% 증가했고, 496볼·245볼 패키징으로 스마트폰·휴대용 소비자 전자기기를 대상으로 현재 양산 중입니다.
Two LPDDR5X products based on the G5 Platform were unveiled at the convention. Both feature a 24Gb per-die capacity, a 50% increase over the previous generation of equivalent products. Offered in 496-ball and 245-ball packaging respectively, the products serve smartphones and portable consumer electronics, and are currently in mass production.
공정 지표(하프피치·종횡비·코어 높이)는 표준 계측 오차 범위의 영향을 받는 실제 물리 측정 데이터이며, 백분율 증가는 CXMT 4세대 플랫폼과 비교, DPW는 8Gb 밀도 기준으로 정규화되었습니다.
Active area half pitch, capacitor aspect ratio, and core area height reflect actual physical measurement data subject to standard metrology margins of error. Percentage increases are calculated in comparison with CXMT 4th-generation technology platform. Gross die per wafer (DPW) statistics are normalized to an 8Gb density baseline.