SK하이닉스가 샌디스크와 협력하여 OCP를 통해 최초의 HBF 표준 사양을 공개했다.
SK hynix announced on August 4 that it has unveiled the first standard specification for High Bandwidth Flash (HBF), a next-generation storage technology, in collaboration with Sandisk through the OCP.
MEMORY INDUSTRY INTELLIGENCE
SK하이닉스, 샌디스크와 함께 최초의 HBF 표준 사양 공개, 'FMS 2026'에서 AI 메모리 솔루션 제시 | SK하이닉스 뉴스룸
포착한 변화·분석
SK하이닉스가 샌디스크와 협력하여 OCP를 통해 최초의 HBF(High Bandwidth Flash) 표준 사양을 공개했다. HBF는 HBM과 SSD 사이의 새로운 메모리 계층으로, 최대 512GB 용량과 0.4TB/s~3.0TB/s 대역폭(Grade1~3)을 제공하며 UCIe 인터커넥트를 채택한다. 컨소시엄에는 구글과 텐스토렌트가 참여 중이며, FMS 2026에서 김천성 부사장과 강욱송 부사장이 기조연설을, 임의철 부사장 등이 패널 토론을 진행한다. 또한 개발 중인 10세대(V10) 375단 4D NAND 웨이퍼를 최초 공개하며, 전력 효율이 이전 세대 대비 2.5배 향상되었고 내년 초 양산 계획이다.
SK하이닉스와 샌디스크가 OCP를 통해 HBF 표준 사양을 공개한 것은 메모리 산업에서 HBM과 SSD 사이의 새로운 계층을 정의하려는 시도로, 향후 AI 인프라의 메모리 아키텍처에 영향을 줄 수 있다. HBF는 NAND 기반이지만 HBM과 유사한 고속 전송을 목표로 하며, UCIe 인터커넥트를 채택해 GPU·CPU 등 다양한 프로세서와 통합될 수 있다. 이는 서버 DRAM/HBM 수요를 직접 대체하기보다는 계층형 메모리 구조에서 보완적 역할을 할 가능성이 있으나, 실제 채택 규모와 시점은 미확인이다. 375단 4D NAND는 eSSD용으로 내년 초 양산 계획이며, 전력 효율 2.5배 향상은 AI 데이터센터의 eSSD 수요에 긍정적일 수 있다. 다만 HBF의 상용화 일정, 고객 채택, 가격, 성능 검증은 아직 구체적으로 확인되지 않았다. 메모리 산업과의 직접 연결은 HBF 표준화 및 375단 NAND 양산 계획을 통해 확인되나, 단기적 재무 영향은 불확실하다.
중요도 설정 이유 HBF 표준 사양 공개는 HBM과 SSD 사이의 새로운 메모리 계층을 정의하려는 시도로, AI 인프라의 메모리 아키텍처에 장기적 영향을 줄 수 있다. 375단 4D NAND 양산 계획은 eSSD 경쟁력과 직결된다.
반대 근거·미확인 정보 HBF의 실제 상용화 시점, 고객 채택 규모, 가격, 성능 검증, 경쟁 기술과의 비교 우위는 확인되지 않았다.
반대 근거·미확인 정보 HBF의 실제 상용화 시점, 고객 채택 규모, 가격, 성능 검증, 경쟁 기술과의 비교 우위는 확인되지 않았다.
주장과 검증 근거
HBF는 HBM과 SSD 사이의 새로운 메모리 계층으로, HBM과 유사한 고속 데이터 전송과 NAND 기반 용량 확장을 제공한다.
HBF technology is a new memory layer between HBM and SSDs. It enables high-speed data transfer similar to HBM while significantly expanding capacity by leveraging NAND technology.
HBF 표준 사양은 8단 및 16단 NAND 다이 스택 기반 최대 512GB 용량과 0.4TB/s~3.0TB/s 대역폭(Grade1~3)을 포함한다.
Capacity specifications cover up to 512GB based on two stack configurations (8-high and 16-high NAND dies). Bandwidth is categorized into three grades (Grade1~3), delivering scalable performance from approximately 0.4TB/s to 3.0TB/s.
HBF는 UCIe 인터커넥트를 채택하여 GPU와 CPU 등 다양한 프로세서에 통합될 수 있다.
HBF technology adopts UCIe*, an industry standard connection interface, laying the groundwork to flexibly integrate HBF technology across different processor types, including GPUs and CPUs.
HBF 컨소시엄에는 구글과 텐스토렌트가 참여하고 있다.
With Google and Tenstorrent currently participating in the HBF consortium, the consortium aims to expand its reach while enhancing technical maturity and market acceptance based on open collaboration.
SK하이닉스는 내년 초 375단 4D NAND 기반 고성능·고용량 eSSD 양산을 시작할 계획이다.
The company plans to initiate mass production of high-performance, high capacity eSSDs based on the 375-layer 4D NAND early next year to reinforce its leadership in the AI NAND market.
10세대(V10) 375단 4D NAND는 이전 세대 대비 와트당 성능이 2.5배 향상되었다.
The 375-layer 4D NAND improves performance per watt by 2.5 times compared to the previous generation, making it optimized for AI infrastructure environments like data centers that demand high power efficiency and performance.
SK하이닉스는 FMS 2026에서 김천성 부사장과 강욱송 부사장이 기조연설을 하고, 임의철 부사장 등이 패널 토론에 참여할 예정이다.
On the opening day of FMS 2026 (August 4, local time), SK hynix Executive Vice President Kim Chun-sung (Head of Solution Development) and Vice President Kang Uk-song (Head of Next Generation Product Planning) will deliver a joint keynote address, titled ‘Orchestrating Efficient AI Infrastructure through Tiered Memory in the Era of Agentic AI.’
제품 영향 경로
차세대 메모리·연결 기술
증가 · HBF 채택률, 표준 채택 고객 수3년 이상HBF 표준 공개 → AI 인프라 메모리 계층 확장 → HBF 채택 및 생태계 성장 → SK하이닉스의 차세대 메모리 리더십 강화
중요도
HBF 표준 사양 공개는 HBM과 SSD 사이의 새로운 메모리 계층을 정의하려는 시도로, AI 인프라의 메모리 아키텍처에 장기적 영향을 줄 수 있다. 375단 4D NAND 양산 계획은 eSSD 경쟁력과 직결된다.
확신·근거
자동 해석 초안 · 원문 인용 문자열 검증 · 독립 검증 전
미확인·반대 근거
상용화 시점, 실제 성능, 고객 채택 여부 관찰 지표: HBF 컨소시엄 확대 및 제품 출시 일정
직접 효과HBF 표준 사양 공개로 생태계 확장 가능성
계층 이동HBM과 SSD 사이의 새로운 계층 형성
사용량 효과AI 추론 데이터 처리량 증가에 따른 수요 창출
적용 범위AI 데이터센터, GPU/CPU 통합 시스템
eSSD
증가 · eSSD 출하량, 전력 효율1~3년375단 4D NAND 개발 → eSSD 양산 → AI 데이터센터 전력 효율 향상 → eSSD 수요 증가
중요도
HBF 표준 사양 공개는 HBM과 SSD 사이의 새로운 메모리 계층을 정의하려는 시도로, AI 인프라의 메모리 아키텍처에 장기적 영향을 줄 수 있다. 375단 4D NAND 양산 계획은 eSSD 경쟁력과 직결된다.
확신·근거
자동 해석 초안 · 원문 인용 문자열 검증 · 독립 검증 전
미확인·반대 근거
양산 일정 준수 여부, 고객 인증 관찰 지표: 375단 4D NAND eSSD 양산 및 고객 채택
직접 효과내년 초 양산 계획으로 eSSD 경쟁력 강화
계층 이동NAND 기술 진화로 eSSD 성능 향상
사용량 효과AI 인프라의 전력 효율 요구 충족
적용 범위데이터센터 eSSD
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