SK하이닉스는 CES 2026에서 고객 전시 부스를 운영한다.
SK hynix to operate customer exhibition booth to enhance customer connection
MEMORY INDUSTRY INTELLIGENCE
SK하이닉스, CES 2026에서 차세대 AI 메모리 혁신 공개 | SK하이닉스 뉴스룸
포착한 변화·분석
SK하이닉스는 2026년 1월 6일부터 9일까지 라스베이거스에서 열리는 CES 2026에서 고객 전시 부스를 운영하고 차세대 AI 메모리 솔루션을 전시한다고 발표했다. 처음으로 48GB 16단 HBM4를 공개하며, 36GB 12단 HBM4(11.7Gbps)와 36GB 12단 HBM3E, SOCAMM2, LPDDR6, 321단 2Tb QLC NAND 등을 함께 선보인다. 또한 cHBM, PIM 기반 AiMX, CuD, CMM-Ax, Data-aware CSD 등 미래 기술을 소개하는 'AI 시스템 데모 존'을 운영한다. 회사는 차별화된 메모리 솔루션과 고객 협력을 통해 AI 시대의 새로운 가치를 창출하겠다고 밝혔다.
SK하이닉스의 CES 2026 전시는 HBM4 16단 48GB, HBM3E 12단 36GB, SOCAMM2, LPDDR6, 321단 2Tb QLC NAND 등 차세대 메모리 제품을 공개하고, cHBM·PIM·CuD·CMM-Ax·CSD 등 미래 기술을 소개하는 자리이다. 이는 AI 서버 및 온디바이스 AI 수요 증가에 대응한 제품 포트폴리오 확장으로, HBM의 경우 16단 적층을 통한 용량 증가와 맞춤형 HBM(cHBM)을 통한 시스템 효율 개선이 메모리 산업의 계층 이동(로직 기능 일부를 메모리로 이동)을 시사한다. SOCAMM2는 서버용 저전력 모듈로 서버 DRAM/LPDDR 시장에 영향을 줄 수 있으나, 모바일 LPDDR과는 사용처가 다르므로 혼동하지 않아야 한다. NAND는 321단 QLC로 eSSD 수요에 대응하나, NAND와 eSSD를 합산하지 않고 별도로 보아야 한다. 다만, 이 보도자료는 전시 계획과 제품 사양 위주로, 실제 양산 시점, 고객 채택, 가격, 매출 기여 등은 확인되지 않았다. 따라서 메모리 산업에 대한 직접적 영향은 기술 리더십 과시 및 고객 협력 강화로 요약되나, 구체적 재무 효과는 미확인이다.
중요도 설정 이유 SK하이닉스가 CES 2026에서 48GB 16단 HBM4, SOCAMM2, LPDDR6, 321단 2Tb QLC NAND 등 차세대 AI 메모리 제품을 공개하며 제품 포트폴리오를 확장하고 있음을 보여준다. 이는 AI 서버 및 온디바이스 AI 수요에 대응하기 위한 전략적 움직임이다.
반대 근거·미확인 정보 각 제품의 양산 시점, 고객 채택 여부, 가격, 매출 기여도 등은 확인되지 않았다.
반대 근거·미확인 정보 각 제품의 양산 시점, 고객 채택 여부, 가격, 매출 기여도 등은 확인되지 않았다.
주장과 검증 근거
SK하이닉스는 48GB 16단 HBM4를 처음으로 공개한다.
Unveils 16-layer HBM4 with 48 GB for the first time and showcases conventional and AI-focused products such as SOCAMM2 and LPDDR6
36GB 12단 HBM4는 업계 최고 속도인 11.7Gbps를 입증했으며, 고객 일정에 맞춰 개발 중이다.
It is the next-generation product of the 12-layer HBM4 with 36 GB, which demonstrated the industry’s fastest speed of 11.7 Gbps, and is under development aligned with customers’ schedules.
SK하이닉스는 AI 서버용 저전력 메모리 모듈인 SOCAMM2를 전시할 계획이다.
the company plans to showcase SOCAMM2, a low-power memory module specialized for AI servers
SK하이닉스는 온디바이스 AI에 최적화된 LPDDR6를 선보인다.
The company will present its LPDDR6, optimized for on-device AI, offering significantly improved data processing speed and power efficiency compared to previous generations.
SK하이닉스는 초고용량 eSSD에 최적화된 321단 2Tb QLC NAND 제품을 선보인다.
the company will present its 321-layer 2 Tb QLC product, optimized for ultra-high capacity eSSDs
SK하이닉스는 'AI 시스템 데모 존'에서 cHBM, PIM 기반 AiMX, CuD, CMM-Ax, Data-aware CSD를 선보인다.
the company will present cHBM*optimized for specific AI chips or systems, PIM*-based AiMX*, CuD*which conducts computing in memory, CMM-Ax*thatintegrates computing capabilities into CXL* memory, and Data-aware CSD*.
cHBM은 GPU와 ASIC의 일부 기능을 HBM 베이스 다이에 통합한 맞춤형 제품이다.
Custom HBM (cHBM): A product that integrates some functions located in GPUs and ASICs to the HBM base die, reflecting customer requirements.
SK하이닉스는 고객과 함께 HBM3E를 채택한 GPU 모듈을 공동 전시한다.
the company will jointly exhibit GPU modules that have adopted HBM3E for AI servers with a customer
SK하이닉스는 CES 2026에서 'Innovative AI, Sustainable tomorrow'를 주제로 전시한다.
Under the theme ‘Innovative AI, Sustainable tomorrow,’ we plan to showcase a wide range of next-generation memory solutions optimized for AI
제품 영향 경로
HBM
증가 · HBM 용량(GB), 스택 수(단)1~3년16단 HBM4 48GB 공개 → AI 서버 GPU 모듈 탑재 → HBM 용량 및 대역폭 증가 → 고성능 AI 가속기 수요 대응
중요도
SK하이닉스가 CES 2026에서 48GB 16단 HBM4, SOCAMM2, LPDDR6, 321단 2Tb QLC NAND 등 차세대 AI 메모리 제품을 공개하며 제품 포트폴리오를 확장하고 있음을 보여준다. 이는 AI 서버 및 온디바이스 AI 수요에 대응하기 위한 전략적 움직임이다.
확신·근거
자동 해석 초안 · 원문 인용 문자열 검증 · 독립 검증 전
미확인·반대 근거
양산 시점, 고객 인증, 가격 관찰 지표: HBM4 16단 양산 일정 및 고객 채택 발표
직접 효과HBM4 16단 48GB 제품 공개로 HBM 적층 기술 리더십 강화
계층 이동HBM 내 연산 기능 일부 통합(cHBM)으로 로직-메모리 경계 모호화 가능성
사용량 효과AI 서버당 HBM 탑재량 증가 및 고용량화
적용 범위AI 서버 및 고성능 컴퓨팅
서버 LPDDR / SOCAMM
증가 · 서버용 LPDDR 모듈 채택률1~3년SOCAMM2 전시 → AI 서버용 저전력 메모리 모듈 수요 대응 → 서버 메모리 포트폴리오 확장
중요도
SK하이닉스가 CES 2026에서 48GB 16단 HBM4, SOCAMM2, LPDDR6, 321단 2Tb QLC NAND 등 차세대 AI 메모리 제품을 공개하며 제품 포트폴리오를 확장하고 있음을 보여준다. 이는 AI 서버 및 온디바이스 AI 수요에 대응하기 위한 전략적 움직임이다.
확신·근거
자동 해석 초안 · 원문 인용 문자열 검증 · 독립 검증 전
미확인·반대 근거
양산 시점, 고객 채택 관찰 지표: SOCAMM2 양산 및 고객 도입 발표
직접 효과AI 서버에 특화된 저전력 메모리 모듈 경쟁력 과시
계층 이동서버 DRAM과 LPDDR의 사용처 구분 필요
사용량 효과AI 서버 전력 효율 개선
적용 범위AI 서버
모바일 DRAM / LPDDR
증가 · LPDDR6 데이터 처리 속도 및 전력 효율1~3년LPDDR6 전시 → 온디바이스 AI 기기 수요 대응 → 모바일 DRAM 성능 향상
중요도
SK하이닉스가 CES 2026에서 48GB 16단 HBM4, SOCAMM2, LPDDR6, 321단 2Tb QLC NAND 등 차세대 AI 메모리 제품을 공개하며 제품 포트폴리오를 확장하고 있음을 보여준다. 이는 AI 서버 및 온디바이스 AI 수요에 대응하기 위한 전략적 움직임이다.
확신·근거
자동 해석 초안 · 원문 인용 문자열 검증 · 독립 검증 전
미확인·반대 근거
양산 시점, 채택 고객 관찰 지표: LPDDR6 양산 및 스마트폰 등 채택
직접 효과온디바이스 AI에 최적화된 LPDDR6 기술 리더십
계층 이동모바일 LPDDR과 서버 LPDDR 사용처 구분
사용량 효과온디바이스 AI 기기에서의 메모리 사용량 증가 가능성
적용 범위모바일 및 온디바이스 AI 기기
NAND
증가 · NAND 적층 수(단), 용량(Tb)1~3년321단 2Tb QLC NAND 전시 → 초고용량 eSSD 수요 대응 → AI 데이터 센터 저장 용량 증가
중요도
SK하이닉스가 CES 2026에서 48GB 16단 HBM4, SOCAMM2, LPDDR6, 321단 2Tb QLC NAND 등 차세대 AI 메모리 제품을 공개하며 제품 포트폴리오를 확장하고 있음을 보여준다. 이는 AI 서버 및 온디바이스 AI 수요에 대응하기 위한 전략적 움직임이다.
확신·근거
자동 해석 초안 · 원문 인용 문자열 검증 · 독립 검증 전
미확인·반대 근거
양산 시점, 고객 채택 관찰 지표: 321단 QLC NAND 양산 및 eSSD 채택
직접 효과업계 최고 집적도 QLC NAND로 전력 효율 및 성능 향상
계층 이동NAND와 eSSD를 합산하지 않고 구분
사용량 효과AI 데이터 센터에서 저전력 고용량 저장 수요 대응
적용 범위AI 데이터 센터 eSSD
HBF / 차세대 메모리
불확실 · 기술 채택률3년 이상cHBM, PIM, CuD, CMM-Ax, CSD 등 미래 기술 전시 → AI 시스템 효율 개선 → 차세대 메모리 생태계 형성
중요도
SK하이닉스가 CES 2026에서 48GB 16단 HBM4, SOCAMM2, LPDDR6, 321단 2Tb QLC NAND 등 차세대 AI 메모리 제품을 공개하며 제품 포트폴리오를 확장하고 있음을 보여준다. 이는 AI 서버 및 온디바이스 AI 수요에 대응하기 위한 전략적 움직임이다.
확신·근거
자동 해석 초안 · 원문 인용 문자열 검증 · 독립 검증 전
미확인·반대 근거
상용화 시점, 고객 채택 관찰 지표: cHBM, PIM 등 상용화 발표
직접 효과미래 기술 리더십 과시
계층 이동메모리 내 연산 기능 통합으로 계층 이동 가능성
사용량 효과시스템 전력 효율 및 성능 개선
적용 범위차세대 AI 시스템
연결된 전략 과제
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