MEMORY INDUSTRY INTELLIGENCE
SK하이닉스, 차세대 'HBM4E' 12단 샘플 출하 | SK하이닉스 뉴스룸
한국어 번역·요약·분석
원문 제목: SK hynix Ships Samples of 12-Layer Next-Gen ‘HBM4E’ | SK hynix Newsroom
핵심 요약
SK하이닉스가 2026년 6월 18일(서울 기준) 차세대 AI용 DRAM인 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객에 출하했다고 발표했다. 이 제품은 핀당 최대 16Gbps 속도와 이전 모델 대비 20% 이상 향상된 전력 효율을 보이며, Advanced MR-MUF 기술을 적용해 12단 적층에서 48GB 용량을 구현하고 HBM4 대비 내열성을 17% 개선했다. 회사는 HBM3, HBM3E, HBM4의 양산·공급 경험을 바탕으로 적기 양산을 위해 파트너와 협력할 계획이다. 이는 계획된 샘플 출하이며, 실제 양산 시점·고객 인증·공급 물량은 원문에서 확인되지 않는다.
메모리 산업 영향 분석
SK하이닉스가 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객에 출하한 것은 HBM 제품 로드맵의 다음 단계 진입을 알리는 계획 실행이다. 원문에서 확인된 직접 효과는 핀당 16Gbps 속도, 이전 모델 대비 20% 이상 전력 효율 향상, HBM4 대비 17% 내열성 개선, 12단 48GB 용량이다. 이는 AI 가속기용 HBM 수요에 대응하기 위한 제품 믹스 선택으로, 향후 양산 시 HBM4E가 HBM4를 대체·보완하며 고객 인증 일정과 공급 배분에 영향을 줄 수 있다. 다만 실제 양산 시점, 고객 인증 완료, 주문량, 가격은 원문에서 확인되지 않아 미확인이다. 메모리 산업 관점에서 HBM4E의 성능·전력 효율 개선은 AI 데이터센터의 메모리 대역폭 병목 완화에 기여할 수 있으나, 이것이 서버 DDR·LPDDR·NAND 등 다른 제품군의 수요를 직접 변화시키는지는 원문 근거가 부족하다. 계층 이동(tier_shift)은 HBM 내부 세대 전환(HBM4→HBM4E)에 해당하며, 다른 메모리 계층으로의 이동은 확인되지 않는다. 사용량 효과는 AI 학습·추론의 데이터 처리량 증가로 HBM 탑재량이 늘어날 가능성이 있으나, 이는 분석가 가설이며 원문은 구체적 수치를 제시하지 않는다. 적용 범위는 AI 데이터센터·대규모 컴퓨팅 시스템으로 명시되어 있다. 반대 근거로는 샘플 단계이므로 실제 채택·양산까지 불확실성이 크고, 경쟁사(삼성전자, 마이크론)의 HBM4E 개발 상황이 원문에 없어 시장 점유율 변화를 판단할 수 없다. 확인할 지표는 고객 인증 완료 발표, 양산 시점, HBM4E 공급 물량, 가격, 그리고 HBM4와의 믹스 전환 속도이다. 공급 배분 선택에서는 HBM4E 양산이 HBM4 생산 능력을 잠식할 수 있어 기존 HBM4 고객과의 계약 조건이 변수이며, 고객 인증이 지연되면 투자 일정이 조정될 수 있다. 제품 믹스 선택에서는 HBM4E의 수율과 수익성이 HBM4 대비 개선되는지가 관건이다.
한국어 번역 읽기
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**뉴스 하이라이트**
**· 주요 고객에 12단 HBM4E 샘플 출하**
**· 핀당 최대 16Gbps 속도 달성, 성능과 효율 모두 개선**
**· Advanced MR-MUF 적용, 내열성 17% 개선 및 안정성 향상**
**· “SK하이닉스는 시장을 선도하는 기술력과 제조 전문성을 바탕으로 HBM4E로 AI 리더십을 강화하며… 시장에 필요한 가치를 제공할 것”**
**서울, 2026년 6월 18일** – SK하이닉스 주식회사(이하 “회사”, www.skhynix.com)는 오늘 차세대 AI용 DRAM인 HBM4E 샘플을 주요 고객에 출하했다고 발표했다.
“회사는 HBM에 대한 앞선 개발 및 생산 전문성을 바탕으로 12단 HBM4E 샘플을 예정대로 전달할 수 있었다”며 “적시 양산을 위해 파트너와 긴밀히 협력할 것”이라고 SK하이닉스는 말했다.
12단 HBM4E는 성능과 전력 효율 모두에서 개선을 보여준다. 이 제품은 핀당 최대 데이터 처리 속도 16Gbps와 이전 모델 대비 20% 이상 향상된 전력 효율을 갖췄다. 이러한 개선은 AI 학습 및 추론을 위한 데이터 처리 능력을 향상시킨다.
HBM4E는 최신 인터페이스와 설계 최적화를 통해 데이터 전송 지연을 줄이는 동시에 고대역폭 환경에서 안정적인 작동을 유지한다. 이를 통해 고객은 AI 데이터센터와 대규모 컴퓨팅 시스템의 데이터 처리 효율을 높일 수 있다.
SK하이닉스는 HBM4E 제품에 Advanced MR-MUF1 기술을 적용해 12단 적층에서 48GB 용량을 구현하면서 구조적 안정성을 확보했다. 특히 회사는 선행 HBM4 대비 내열성을 17% 개선해 고성능 컴퓨팅 환경에서 메모리 칩의 안정적인 작동을 가능하게 했다.
1MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill): 칩 사이에 액체 보호 물질을 주입해 회로를 보호하는 반도체 적층 공정.
SK하이닉스는 HBM3, HBM3E, HBM4의 양산 및 공급 전문성을 바탕으로 최적화된 메모리 솔루션을 고객에게 성공적으로 공급해 왔다. 시장에서 검증된 제품 신뢰성과 공급 능력을 활용해 회사는 차세대 인프라 개발을 지원하고 AI 시스템 병목 현상 해결에 기여할 것이다.
“SK하이닉스는 시장을 선도하는 기술력과 제조 전문성을 바탕으로 HBM4E로 AI 리더십을 강화할 기반을 마련했다”고 안현 사장 겸 최고개발책임자(CDO)가 말하며, “파트너와의 긴밀한 협력을 통해 시장에 필요한 가치를 제공하고 풀스택 AI 메모리 창조자로서 기술 리더십을 강화할 것”이라고 덧붙였다.
[영상 3](https://www.youtube.com/watch?v=RhwAEMl1hWc)
**SK하이닉스 주식회사 소개**
SK하이닉스 주식회사는 한국에 본사를 둔 세계 최고 수준의 반도체 공급업체로, 전 세계 다양한 고객에게 동적 랜덤 액세스 메모리 칩(“DRAM”)과 플래시 메모리 칩(“NAND 플래시”)을 제공한다. 회사 주식은 한국거래소에 상장되어 있으며, 글로벌 예탁증권(GDS)은 룩셈부르크 증권거래소에 상장되어 있다. SK하이닉스에 대한 추가 정보는 www.skhynix.com, news.skhynix.com에서 확인할 수 있다.
**· 주요 고객에 12단 HBM4E 샘플 출하**
**· 핀당 최대 16Gbps 속도 달성, 성능과 효율 모두 개선**
**· Advanced MR-MUF 적용, 내열성 17% 개선 및 안정성 향상**
**· “SK하이닉스는 시장을 선도하는 기술력과 제조 전문성을 바탕으로 HBM4E로 AI 리더십을 강화하며… 시장에 필요한 가치를 제공할 것”**
**서울, 2026년 6월 18일** – SK하이닉스 주식회사(이하 “회사”, www.skhynix.com)는 오늘 차세대 AI용 DRAM인 HBM4E 샘플을 주요 고객에 출하했다고 발표했다.
“회사는 HBM에 대한 앞선 개발 및 생산 전문성을 바탕으로 12단 HBM4E 샘플을 예정대로 전달할 수 있었다”며 “적시 양산을 위해 파트너와 긴밀히 협력할 것”이라고 SK하이닉스는 말했다.
12단 HBM4E는 성능과 전력 효율 모두에서 개선을 보여준다. 이 제품은 핀당 최대 데이터 처리 속도 16Gbps와 이전 모델 대비 20% 이상 향상된 전력 효율을 갖췄다. 이러한 개선은 AI 학습 및 추론을 위한 데이터 처리 능력을 향상시킨다.
HBM4E는 최신 인터페이스와 설계 최적화를 통해 데이터 전송 지연을 줄이는 동시에 고대역폭 환경에서 안정적인 작동을 유지한다. 이를 통해 고객은 AI 데이터센터와 대규모 컴퓨팅 시스템의 데이터 처리 효율을 높일 수 있다.
SK하이닉스는 HBM4E 제품에 Advanced MR-MUF1 기술을 적용해 12단 적층에서 48GB 용량을 구현하면서 구조적 안정성을 확보했다. 특히 회사는 선행 HBM4 대비 내열성을 17% 개선해 고성능 컴퓨팅 환경에서 메모리 칩의 안정적인 작동을 가능하게 했다.
1MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill): 칩 사이에 액체 보호 물질을 주입해 회로를 보호하는 반도체 적층 공정.
SK하이닉스는 HBM3, HBM3E, HBM4의 양산 및 공급 전문성을 바탕으로 최적화된 메모리 솔루션을 고객에게 성공적으로 공급해 왔다. 시장에서 검증된 제품 신뢰성과 공급 능력을 활용해 회사는 차세대 인프라 개발을 지원하고 AI 시스템 병목 현상 해결에 기여할 것이다.
“SK하이닉스는 시장을 선도하는 기술력과 제조 전문성을 바탕으로 HBM4E로 AI 리더십을 강화할 기반을 마련했다”고 안현 사장 겸 최고개발책임자(CDO)가 말하며, “파트너와의 긴밀한 협력을 통해 시장에 필요한 가치를 제공하고 풀스택 AI 메모리 창조자로서 기술 리더십을 강화할 것”이라고 덧붙였다.
[영상 3](https://www.youtube.com/watch?v=RhwAEMl1hWc)
**SK하이닉스 주식회사 소개**
SK하이닉스 주식회사는 한국에 본사를 둔 세계 최고 수준의 반도체 공급업체로, 전 세계 다양한 고객에게 동적 랜덤 액세스 메모리 칩(“DRAM”)과 플래시 메모리 칩(“NAND 플래시”)을 제공한다. 회사 주식은 한국거래소에 상장되어 있으며, 글로벌 예탁증권(GDS)은 룩셈부르크 증권거래소에 상장되어 있다. SK하이닉스에 대한 추가 정보는 www.skhynix.com, news.skhynix.com에서 확인할 수 있다.
브리프용 요약 초안
SK하이닉스가 2026년 6월 18일 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객에 출하했다고 발표했다. 핀당 16Gbps, 전력 효율 20% 이상 향상, HBM4 대비 내열성 17% 개선, 12단 48GB 용량이 특징이다. 양산 시점과 고객 인증은 아직 확인되지 않았다.
원문 텍스트
원문 열기 ↗**News Highlights**
**· Delivers 12-high HBM4E samples to major customers**
**· Achieves a maximum speed of 16Gbps per pin with improvements in both performance and efficiency**
**· Utilizes Advanced MR-MUF, reducing heat resistance by 17% while improving stability**
**· “SK hynix strengthens its AI leadership with HBM4E based on its market-leading technological capabilities and manufacturing expertise… delivering the value needed in the market”**
**Seoul, June 18, 2026** – SK hynix Inc. (or “the company”, www.skhynix.com) announced today that it has shipped samples of HBM4E, a next-generation DRAM for AI, to major customers.
“The company was able to deliver samples of the 12-stack HBM4E on schedule thanks to its advanced HBM development and production expertise for HBM,” said SK hynix, adding that “We will work closely with partners for mass production in a timely manner.”
The 12-layer HBM4E shows improvements in both performance and power efficiency. The product features a maximum data processing speed of 16Gbps per pin and power efficiency that is up more than 20 percent from previous models. These enhancements improve data processing capabilities for AI training and inference.
The HBM4E reduces data transfer latency through its latest interface and design optimization while maintaining stable operation in high-bandwidth environments. This enables customers to increase efficiency in processing data for AI datacenters and large-scale computing systems.
SK hynix utilizes Advanced MR-MUF1 technology for HBM4E products to achieve a 48GB capacity in a 12-layer stack while ensuring structural stability. In particular, the company has also improved heat resistance by 17 percent, compared to the preceding HBM4, enabling stable operation of memory chips in high-performance computing environments.
1MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill): A process used for stacking semiconductors by injecting liquid protective materials between chips to protect circuits.
SK hynix has successfully supplied optimized memory solutions to customers based on its expertise in the mass production and supply of HBM3, HBM3E, and HBM4. Leveraging its market-proven product reliability and supply capabilities, the company will support the development of next-generation infrastructure while helping address AI system bottlenecks.
“SK hynix has laid the foundation to strengthen its AI leadership with HBM4E based on its market-leading technological capabilities and manufacturing expertise,” said Ahn Hyun, President and Chief Development Officer, adding, “Through close collaboration with our partners, we will deliver the value needed in the market while reinforcing our technology leadership as a full-stack AI memory creator.”
[Video 3](https://www.youtube.com/watch?v=RhwAEMl1hWc)
**About SK hynix Inc.**
SK hynix Inc., headquartered in Korea, is the world’s top-tier semiconductor supplier offering Dynamic Random Access Memory chips (“DRAM”) and flash memory chips (“NAND flash”)for a wide range of distinguished customers globally. The Company’s shares are traded on the Korea Exchange, and the Global Depository shares are listed on the Luxembourg Stock Exchange. Further information about SK hynix is available at www.skhynix.com,news.skhynix.com.
**· Delivers 12-high HBM4E samples to major customers**
**· Achieves a maximum speed of 16Gbps per pin with improvements in both performance and efficiency**
**· Utilizes Advanced MR-MUF, reducing heat resistance by 17% while improving stability**
**· “SK hynix strengthens its AI leadership with HBM4E based on its market-leading technological capabilities and manufacturing expertise… delivering the value needed in the market”**
**Seoul, June 18, 2026** – SK hynix Inc. (or “the company”, www.skhynix.com) announced today that it has shipped samples of HBM4E, a next-generation DRAM for AI, to major customers.
“The company was able to deliver samples of the 12-stack HBM4E on schedule thanks to its advanced HBM development and production expertise for HBM,” said SK hynix, adding that “We will work closely with partners for mass production in a timely manner.”
The 12-layer HBM4E shows improvements in both performance and power efficiency. The product features a maximum data processing speed of 16Gbps per pin and power efficiency that is up more than 20 percent from previous models. These enhancements improve data processing capabilities for AI training and inference.
The HBM4E reduces data transfer latency through its latest interface and design optimization while maintaining stable operation in high-bandwidth environments. This enables customers to increase efficiency in processing data for AI datacenters and large-scale computing systems.
SK hynix utilizes Advanced MR-MUF1 technology for HBM4E products to achieve a 48GB capacity in a 12-layer stack while ensuring structural stability. In particular, the company has also improved heat resistance by 17 percent, compared to the preceding HBM4, enabling stable operation of memory chips in high-performance computing environments.
1MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill): A process used for stacking semiconductors by injecting liquid protective materials between chips to protect circuits.
SK hynix has successfully supplied optimized memory solutions to customers based on its expertise in the mass production and supply of HBM3, HBM3E, and HBM4. Leveraging its market-proven product reliability and supply capabilities, the company will support the development of next-generation infrastructure while helping address AI system bottlenecks.
“SK hynix has laid the foundation to strengthen its AI leadership with HBM4E based on its market-leading technological capabilities and manufacturing expertise,” said Ahn Hyun, President and Chief Development Officer, adding, “Through close collaboration with our partners, we will deliver the value needed in the market while reinforcing our technology leadership as a full-stack AI memory creator.”
[Video 3](https://www.youtube.com/watch?v=RhwAEMl1hWc)
**About SK hynix Inc.**
SK hynix Inc., headquartered in Korea, is the world’s top-tier semiconductor supplier offering Dynamic Random Access Memory chips (“DRAM”) and flash memory chips (“NAND flash”)for a wide range of distinguished customers globally. The Company’s shares are traded on the Korea Exchange, and the Global Depository shares are listed on the Luxembourg Stock Exchange. Further information about SK hynix is available at www.skhynix.com,news.skhynix.com.