2026年第二季度全球晶圆代工2.0市场营收同比增长25%，先进封装AI芯片核心瓶颈-电子工程专辑

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# 2026年第二季度全球晶圆代工2.0市场营收同比增长25%，先进封装AI芯片核心瓶颈

发布于2026-10-09 10:23:55 综合报道分享

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Counterpoint：“AI基础设施建设的下一阶段，芯片封装的重要性将不亚于晶圆制造。”

研究机构Counterpoint Research发布的晶圆代工市场追踪报告显示，2026年第二季度全球“晶圆代工2.0”市场营收同比增长25%、环比增长11%，达到创纪录的966亿美元，增速较第一季度的24%进一步加快。所谓晶圆代工2.0，是Counterpoint提出的新口径，将纯晶圆代工厂、非存储IDM、OSAT封测厂及光掩模供应商全部纳入统计，反映设计、制造与封装走向一体化的产业趋势。

本轮增长由AI GPU、定制化AI ASIC以及更广泛的AI基础设施建设共同驱动，服务器CPU、网络芯片和电源管理IC均在列。台积电依然是AI需求周期的最大受益者，第二季度营收同比增长34%至402亿美元，在晶圆代工2.0市场中的份额升至约42%，高于2025年的38%，Counterpoint预计其2026年全年营收将增长约43%。





增长动能正向台积电以外的环节扩散。除台积电外的纯晶圆代工厂营收同比增长18%，较第一季度的9%翻倍，其中中芯国际增长36%，晶合集成增长21%，华虹增长17%，本土AI芯片需求、供应链本地化和晶圆价格上涨是主要推力；联电与世界先进则分别增长9%和20%，受电源管理IC、MCU等外围芯片需求带动。

非存储IDM整体营收同比增长19%，英特尔晶圆代工以31%的增速领跑，意法半导体、德州仪器、恩智浦、英飞凌分别增长26%、23%、19%和15%，部分反弹源于2025年上半年库存调整形成的低基数。封测环节同样火热：OSAT行业营收同比增长22%、环比增长12%至126亿美元，日月光增长24%，安靠增长26%，AI处理器对先进封装、晶圆探测和成品测试的需求是核心驱动力。

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## CoWoS成为AI芯片出货的“闸门”

Counterpoint副总监Brady Wang在报告中指出，随着AI处理器尺寸增大、设计复杂度提升，先进封装仍是产业的主要制约因素。该机构估算，台积电CoWoS先进封装的供需缺口在2026年维持在约20%，随着内部产能向每月18.5万片晶圆（185KWPM）规模扩展，2027年有望收窄至约10%。测试时间延长、测试步骤增加，正促使OSAT厂商逐渐成为AI半导体生态中的战略级第二供应商。

台积电管理层对紧张程度的描述更为直白。在2026年7月16日的财报电话会上，台积电表示CoWoS产能“极其紧张”，后端产能仍处短缺状态。据TrendForce汇总，台积电CoWoS月产能在2026年预计达到12万-14万片晶圆的历史高位，叠加OSAT伙伴新增的5万-6万片，行业总产能有望接近每月20万片，供需缺口从约20%收窄至2026年底的约10%，严重的2.5D封装产能短缺要到2027年才明显缓解。

瓶颈的根源在于HBM对CoWoS硅中介层的依赖，以及随之而来的成本、良率和产能三重约束。摩根士丹利测算，全球CoWoS需求量将从2026年的139.4万片激增至2027年的269.4万片，增幅达93%，即便产能同步扩张，最先进的CoWoS-L环节仍将持续紧缺。正因如此，下游客户开始同步构建不依赖台积电封装的替代方案。

## 三条突围路线：EMIB、HBC与NVHBM

英特尔是最先抓住机会的挑战者。其EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）封装将桥接结构嵌入基板，绕开整片硅中介层，结构性降低单位封装成本。DIGITIMES供应链消息证实，谷歌TPU已确认导入EMIB封装，首批采用该技术的TPU良率已达标，技术、成本与产能表现均符合谷歌预期；业界普遍预期下一代TPU将采用EMIB-T，该技术通过硅通孔实现垂直供电，可将直流压降减少68%-80%。



（英特尔EMIB结构）

不过EMIB-T的规模化仍需时间。基板大厂欣兴电子指出，该平台要到2027年才会进入量产。博通与Meta被曝正在评估从CoWoS转向EMIB以降低成本，联发科则公开宣布CoWoS与EMIB并行采用，为客户分散供应链风险。

高通的路线更为激进。2026年6月25日，高通在投资者日发布高带宽计算（HBC）架构，将专用近内存加速器置于LPDDR存储堆栈下方，通过硅通孔实现3D堆叠，主芯片与HBC堆栈之间仅用标准2D有机基板互连，完全绕开2.5D硅中介层。高通宣称，在完整加速器级别，HBC可实现6倍于HBM的每瓦带宽和200倍于SRAM的每瓦容量。



（高通HBC架构）

搭载HBC第一代的AI250加速器单卡内存读写速率达133TB/s，有效带宽为上一代AI200的18倍，预计2027年年中启动商业化样品测试，第二代将随AI300于2028年推出。微软已确认将在Azure部署该方案，三星与SK海力士则参与DRAM堆叠环节，并与台积电协作整合封装工艺。

英伟达选择的则是把内存控制器“搬进”HBM。2026年8月26日，英伟达随NVLink Fusion生态发布NVHBM定制高带宽内存，将内存控制器从计算裸片移入HBM堆栈的基础裸片中，以自研die-to-die接口取代JEDEC标准总线。英伟达宣称，相比标准HBM4E，NVHBM可将内存带宽提升最高30%、HBM功耗降低15%、计算裸片可用面积增加25%。



（英伟达NVHBM）

亚马逊旗下Annapurna Labs成为首个合作方，下一代Trainium4平台将予以支持。美光在9月30日的财报会上确认，为英伟达定制的NVHBM将采用外部代工制造的基础裸片，标志着基础裸片设计权正向计算平台方转移。

面对挑战，台积电也在加固防线。其下一代CoPoS面板级封装已在推进中，TrendForce称材料与设备认证最快于2026年6月完成，中试生产目标为2027年年中，英伟达Feynman平台预计成为首个客户，2028年-2029年进入全面量产。魏哲家在财报电话会上回应英特尔竞争时称，凭借最大光罩尺寸封装方案与SoIC技术，有信心为客户提供最优选择。

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