MEMORY INDUSTRY INTELLIGENCE
주장
47379건 공개자료 기반 개인 관찰 기록
| 기록 | 상태·범위 | 수정일·발행일 | |
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| 빙 한 머크 일렉트로닉스 박막 소재 사업 수석부사장이 몰리브덴 적용을 낸드에서 시작해 D램과 로직으로 확대할 것이라고 말했다. | 승인보도·미확인 | 2026.10.23 09:34 | |
| 머크가 충북 음성에 전구체 생산시설을 구축하고 안산사업장의 소재 공급 시스템과 연계한다. | 승인보도·미확인 | 2026.10.23 09:34 | |
| 머크가 낸드플래시에 일부 적용하던 이산화이염화몰리브덴(MoO₂Cl₂) 전구체를 D램과 로직 반도체로 확대한다. | 승인보도·미확인 | 2026.10.23 09:34 | |
| 엔비디아, AMD, 애플 등 중량급 고객 주문을 확보할 수 있는지가 인텔 파운드리 사업 재건 성공의 관건이다. | 승인분석가 해석 | 2026.10.23 09:33 | |
| 시장에서는 인텔이 SK하이닉스와 협력 방안을 협의 중이며 오하이오주 공장 일부 공간을 임대해 SK하이닉스가 미국에서 메모리 칩을 생산하도록 할 가능성이 있다는 보도가 있었으나, 양 | 승인보도·미확인 | 2026.10.23 09:33 | |
| 인텔 최고경영자 리프부 탄은 지난해 취임 후 전임 최고경영자 팻 겔싱어의 적극적 확장 전략을 조정해 고객 수요에 따라 자본지출을 신중히 배치하고 생산능력 유휴로 인한 재무 부담을 | 승인보도·미확인 | 2026.10.23 09:33 | |
| 현재 첫 번째 공장은 2030년 완공, 두 번째 공장은 2031년 완공 예정이다. | 승인보도·미확인 | 2026.10.23 09:33 | |
| 인텔은 2022년 오하이오주에 '지구상 최대' 웨이퍼 팹을 짓겠다고 발표했고, 미국 반도체법의 제조 리쇼어링 정책에 호응해 첨단 공정 생산능력을 강화하고 파운드리 사업을 되살리려 | 승인보도·미확인 | 2026.10.23 09:33 | |
| 원래 2025년 생산 계획이 2030년으로 연기되어 최초 계획보다 최소 5년 늦어졌다. | 승인보도·미확인 | 2026.10.23 09:33 | |
| 인텔이 2026년 10월 21일 오하이오주 웨이퍼 팹 신축 공사의 첫 번째 공장 건물 상량식을 열고 공사가 새 단계에 들어섰다고 발표했다. | 승인보도·미확인 | 2026.10.23 09:33 | |
| iHBM은 SK하이닉스의 핵심 MR-MUF 패키징 기술을 계속 사용할 것으로 예상되어 관련 공급망 구축이 기존 협력사 체계와 매우 유사할 것으로 전망된다. | 승인보도·미확인 | 2026.10.23 09:32 | |
| SK하이닉스는 현재 주요 생산 중점을 HBM4에 두고 있지만 iHBM 방열 기술을 그다음 세대인 HBM5 메모리 칩에 적용할 계획이다. | 승인보도·미확인 | 2026.10.23 09:32 | |
| iHBM 설계는 열이 상부 냉각판으로 전도되는 것을 가속해 열저항을 최대 30%까지 낮출 것으로 예상된다. | 승인보도·미확인 | 2026.10.23 09:32 | |
| SK하이닉스는 HBM 패키지 내부의 칩 대 칩 물리 계층에 '통합 냉각 소자'라는 방열 구조를 직접 통합하는 iHBM 설계 개념을 제시했다. | 승인보도·미확인 | 2026.10.23 09:32 | |
| DRAM 적층의 열은 위아래로 전도되어야 하지만 방열판·수랭판이 패키지 상단에만 설치되어 열이 적층 중간에 축적되고 핫스팟과 방열 병목이 생긴다. | 승인분석가 해석 | 2026.10.23 09:32 | |
| 전통적인 HBM 칩은 여러 층의 DRAM 모듈을 기반 칩 위에 수직 적층하고 실리콘 인터포저를 통해 GPU 칩과 나란히 연결한다. | 승인보도·미확인 | 2026.10.23 09:32 | |
| SK하이닉스가 국내외 소재·장비 공급사와 협의를 시작해 차세대 iHBM 메모리 칩 개발과 상용 양산 계획을 추진 중이라고 전해졌다. | 승인보도·미확인 | 2026.10.23 09:32 | |
| 마이크론은 4F²에서 공식적으로 발을 빼는 것이 셀 구조의 전략적 선택이며 단순한 2027년 생산량 숫자 문제가 아니라고 강조했다. | 승인보도·미확인 | 2026.10.23 09:32 | |
| 업계 분석은 마이크론의 이번 행보가 마지막 2D 미세화 단계를 건너뛰고 웨이퍼 본딩과 3D 적층 기술로 산업 경쟁 규칙을 다시 쓰려는 시도라고 본다. | 승인분석가 해석 | 2026.10.23 09:32 | |
| 앞서 중국 창신메모리가 4F² 서버 DRAM 계획을 발표해 글로벌 메모리 시장에 충격을 주고 한국의 두 메모리 대기업 주가가 급락한 바 있다. | 승인보도·미확인 | 2026.10.23 09:32 | |
| 마이크론이 수직 HBM 구조를 공개했는데, 기존 HBM이 중간층 측면에 배치되는 것과 달리 메모리를 프로세서 바로 위에 배치하고 미세 피치의 하이브리드 본딩으로 연결한다. | 승인보도·미확인 | 2026.10.23 09:32 | |
| 보조 기술로 High-NA EUV와 신소재를 병행 개발하며, 경제성이 허락하는 한 언제든 3D 적층을 상업 생산 라인에 도입하는 것을 목표로 한다. | 승인보도·미확인 | 2026.10.23 09:32 | |
| 3D DRAM(3D1과 3D2)은 이후 1-제타와 1-에타 노드 사이에 도입하는 것으로 공식 계획되었다. | 승인보도·미확인 | 2026.10.23 09:32 | |
| 1-엡실론 노드는 이어지는 6F² 기술로, 웨이퍼 본딩 기술을 본격적으로 전면 도입한다. | 승인보도·미확인 | 2026.10.23 09:32 | |
| 1-델타 노드는 현행 1-감마 공정에 이어 2027년 하반기에 아이다호주 보이시 공장에서 양산을 시작할 예정이다. | 승인보도·미확인 | 2026.10.23 09:32 |