메모리 공장·Fab 지도

공개 리서치 표에 별도 Capa가 없어 미공개로 표시. 최신 메모리 라인 배분은 미확인.

DRAM과 NAND를 같은 Fab의 별도 생산능력으로 표시.

M15의 TSV 확장과 NAND 전공정 Capa는 별개.

가동 시점과 풀로드 Capa를 구분. 양산·증설은 수요에 맞춰 단계 진행.

C2·C2F를 하나의 생산 거점으로 운영하므로 Capa를 한 번만 표시.

Solidigm의 NAND 공급 연계 거점. SK hynix와 Solidigm 조회에 같은 항목을 표시하며 중복 집계하지 않음.

6개 클린룸 순차 확장. 클린룸 개방은 양산 완료를 뜻하지 않음.

2026.08 투자 승인. DRAM·HBM 생산 기반.

Y1·Y2와 별도 후속 계획. 두 Fab을 묶은 계획 항목이며 개별 Capa 미공개.

신규 NAND 전공정 Fab. 첫 클린룸 개방 후 장비·양산 램프업 필요.

리서치의 Q4 대시(—)는 0으로 바꾸지 않음. 폐쇄 완료로 단정하지 않음.

메모리 라인만 표시. 같은 캠퍼스의 Foundry Capa는 제외.

메모리 라인만 표시. 같은 캠퍼스의 Foundry Capa는 제외.

메모리 라인만 표시. 같은 캠퍼스의 Foundry Capa는 제외.

메모리 라인만 표시. 같은 캠퍼스의 Foundry Capa는 제외.

일정은 보도·장비사 자료 기준. 공정·Capa 세부 확정치는 미공개.

메모리·Foundry 생산 배분 미확인. DRAM·NAND로 임의 분류하지 않음.

Fab별 Capa 미공개. 공개 자료의 OMT 합계는 타오위안·타이중에 임의 배분하지 않음.

OMT 합계 추정치와 개별 Fab Capa를 구분하여 개별 수치는 미공개.

장비 반입과 출하를 구분. 새 클린룸 추가 Capa 미공개.

동일 Fab의 DRAM·NAND 추정 투입량. 신규 선단 DRAM Fab과 구분.

단지의 3개 공개 리서치 항목을 합산. 개별 건물 배분은 별도 확인 필요.

계획 클린룸 700,000 sq ft. 면적은 WSPM Capa로 환산하지 않음.

Boise 신규 양산 Fab. 기존 연구개발 시설과 구분.

Clay 캠퍼스 최대 4개 Fab 중 첫 번째.

세 개 Fab을 묶은 후속 계획. 첫 Fab의 2030 생산 목표를 후속 Fab에 적용하지 않음.

기존 건물 인수 후 메모리 라인 개조. FY2028은 회사 회계연도.

계획 면적 약 270,000 sq ft. 실제 착공 완료는 별도 확인 필요.

리서치의 Beijing 1/2 구분을 건물 2개로 단정하지 않고 합산 표시.

공식 양산 확인 아님. 두 단계 확장 계획 보도.

Kioxia·Sandisk 공동 제조설비 전체 기준. 회사별 지분·웨이퍼 배분 수치 아님.

Kioxia·Sandisk 공동 제조설비 전체 기준. 회사별 지분·웨이퍼 배분 수치 아님.

Kioxia·Sandisk 공동 제조설비 전체 기준. 회사별 지분·웨이퍼 배분 수치 아님.

Kioxia·Sandisk 공동 제조설비 전체 기준. 회사별 지분·웨이퍼 배분 수치 아님.

Kioxia·Sandisk 공동 제조설비 전체 기준. 회사별 지분·웨이퍼 배분 수치 아님.

Kioxia·Sandisk 공동 제조설비 전체 기준. 회사별 지분·웨이퍼 배분 수치 아님.

공동 생산 거점 전체 기준.

2월 공개 전망치를 표시. 7월 생산 시작 발표의 최신 실제 Capa는 미공개.

시장과 정부 지원에 따라 투자·세부 일정 결정. Sandisk 공동투자 참여는 해당 발표에서 미확인.

Reuters의 기존 2개 Fab 구조 기준. 2A·2B를 신규 Fab 3으로 중복 등록하지 않음.

NAND 중심. 일부 DRAM 배분 가능성 보도는 있으나 DRAM 양산·Capa 미확인.

두 Fab을 묶은 보도 항목. 위치 미공개이므로 지도에 임의 배치하지 않음.

10월 보도는 2028말 30K·2030말 50K 목표를 제시. 8월 공식 승인 35.9K와 적용 기간을 구분.