MEMORY INDUSTRY INTELLIGENCE

메모리 공장·Fab 지도

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GLOBAL MEMORY MANUFACTURING

공장 위치부터 다음 증설까지

DRAM과 NAND의 생산 거점, Fab별 Capa, 건설 계획을 한곳에서 비교합니다.

자료 확인일2026-10-12공개자료 스냅샷

11Fab·계획 항목

3지도 지역

2건설·향후 계획

9Capa 수치 있는 항목

Capa 읽는 기준K = 천 장/월 · 300 mm 웨이퍼 투입량 기준. 비교표의 2026 Q4 전망은 2026-02-24 LS증권 공개 추정치이며 현재 실제 Capa가 아닙니다. 공식 계획과 보도 수치는 별도로 표시합니다.

생산 거점 지도

지도 숫자는 해당 지역의 조회 항목 수입니다. 거점을 눌러 Fab 목록을 확인하세요.

DRAMNAND혼합가동 ● / 건설·계획 ◌

도시·지역 기준점으로 표시합니다. Fab 건물의 정확한 좌표는 아닙니다.

Fab별 비교표 11개 항목

같은 Fab의 DRAM·NAND는 열을 나눴습니다. 공동 생산 거점은 한 번만 표시합니다.

회사 / Fab	위치	생산 구분	상태 / 일정	DRAM Capa	NAND Capa	근거
삼성전자 DSHwaseong Line 15 ↗	한국 · 화성Google Maps ↗	DRAM	가동선단 DRAM · 엔드팹 공정 확장	185K2026 Q4 전망외부 추정	—	출처 2개 ZDNet Korea · 삼성 화성 15라인·엔드팹 ↗보도 · 2026-07-28 LS증권 · 최선의 수: AI 에이전트 시대, 메모리 벤더의 불가피한 선택 · 표12/14 (p.33/38) ↗외부 추정 · 2026-02-24
삼성전자 DSHwaseong Line 17 ↗	한국 · 화성Google Maps ↗	DRAM	가동기존 DRAM 생산	80K2026 Q4 전망외부 추정	—	출처 1개 LS증권 · 최선의 수: AI 에이전트 시대, 메모리 벤더의 불가피한 선택 · 표12/14 (p.33/38) ↗외부 추정 · 2026-02-24
삼성전자 DSHwaseong Line 12 ↗	한국 · 화성Google Maps ↗	NAND	가동기존 NAND 라인 · 생산 축소 전망	—	30K2026 Q3 전망외부 추정	출처 1개 LS증권 · 최선의 수: AI 에이전트 시대, 메모리 벤더의 불가피한 선택 · 표12/14 (p.33/38) ↗외부 추정 · 2026-02-24 리서치의 Q4 대시(—)는 0으로 바꾸지 않음. 폐쇄 완료로 단정하지 않음.
삼성전자 DSPyeongtaek P1 ↗	한국 · 평택Google Maps ↗	DRAMNAND	가동기존 DRAM·NAND 생산	120K2026 Q4 전망외부 추정	60K2026 Q4 전망외부 추정	출처 2개 연합뉴스 · 삼성 평택 P3 NAND 가동 ↗보도 · 2022-09-07 LS증권 · 최선의 수: AI 에이전트 시대, 메모리 벤더의 불가피한 선택 · 표12/14 (p.33/38) ↗외부 추정 · 2026-02-24 메모리 라인만 표시. 같은 캠퍼스의 Foundry Capa는 제외.
삼성전자 DSPyeongtaek P2 ↗	한국 · 평택Google Maps ↗	DRAMNAND	가동기존 DRAM·NAND 생산	140K2026 Q4 전망외부 추정	90K2026 Q4 전망외부 추정	출처 2개 연합뉴스 · 삼성 평택 P3 NAND 가동 ↗보도 · 2022-09-07 LS증권 · 최선의 수: AI 에이전트 시대, 메모리 벤더의 불가피한 선택 · 표12/14 (p.33/38) ↗외부 추정 · 2026-02-24 메모리 라인만 표시. 같은 캠퍼스의 Foundry Capa는 제외.
삼성전자 DSPyeongtaek P3 ↗	한국 · 평택Google Maps ↗	DRAMNAND	가동기존 DRAM·NAND 생산	110K2026 Q4 전망외부 추정	60K2026 Q4 전망외부 추정	출처 2개 연합뉴스 · 삼성 평택 P3 NAND 가동 ↗보도 · 2022-09-07 LS증권 · 최선의 수: AI 에이전트 시대, 메모리 벤더의 불가피한 선택 · 표12/14 (p.33/38) ↗외부 추정 · 2026-02-24 메모리 라인만 표시. 같은 캠퍼스의 Foundry Capa는 제외.
삼성전자 DSPyeongtaek P4 ↗	한국 · 평택Google Maps ↗	DRAMNAND	가동·램프업DRAM·NAND 단계별 증설	65K2026 Q4 전망외부 추정	20K2026 Q4 전망외부 추정	출처 2개 ZDNet Korea · CXMT 상하이 및 후속 Fab 설비투자 ↗보도 · 2026-09-11 LS증권 · 최선의 수: AI 에이전트 시대, 메모리 벤더의 불가피한 선택 · 표12/14 (p.33/38) ↗외부 추정 · 2026-02-24 메모리 라인만 표시. 같은 캠퍼스의 Foundry Capa는 제외.
삼성전자 DSPyeongtaek P5 ↗	한국 · 평택Google Maps ↗	DRAM	건설·설비 준비2026 하반기 클린룸 공사 · 2028 램프업 전망	미공개	—	출처 2개 ZDNet Korea · CXMT 상하이 및 후속 Fab 설비투자 ↗보도 · 2026-09-11 Onto Innovation · Fab Tracker February 2026 ↗장비사 자료 · 2026-02 일정은 보도·장비사 자료 기준. 공정·Capa 세부 확정치는 미공개.
삼성전자 DSPyeongtaek P6 ↗	한국 · 평택Google Maps ↗	미정	계획후속 Fab 재착공 보도 · 가동 일정 미공개	—	—	출처 1개 동아일보 · 평택 P5·P6 재착공 보도 (Daum 재전재) ↗보도 · 2026-02-19 메모리·Foundry 생산 배분 미확인. DRAM·NAND로 임의 분류하지 않음.
삼성전자 DSXi’an X1 ↗	중국 · 시안Google Maps ↗	NAND	가동기존 V-NAND 생산	—	60K2026 Q4 전망외부 추정	출처 1개 LS증권 · 최선의 수: AI 에이전트 시대, 메모리 벤더의 불가피한 선택 · 표12/14 (p.33/38) ↗외부 추정 · 2026-02-24
삼성전자 DSXi’an X2 ↗	중국 · 시안Google Maps ↗	NAND	가동기존 V-NAND 생산	—	60K2026 Q4 전망외부 추정	출처 1개 LS증권 · 최선의 수: AI 에이전트 시대, 메모리 벤더의 불가피한 선택 · 표12/14 (p.33/38) ↗외부 추정 · 2026-02-24

향후 가동·증설 일정

연도는 각 발표의 목표입니다. 클린룸 개방·장비 반입·웨이퍼 생산·제품 출하는 서로 다른 단계입니다.

2028

램프업 전망Pyeongtaek P5삼성전자 DS

2026 하반기 클린룸 공사 · 2028 램프업 전망

건설·설비 준비

연도가 미공개인 후속 계획은 비교표에서 확인할 수 있습니다.

범위·수치·지도 표시 기준

메모리 웨이퍼 전공정 중심입니다. HBM 패키징·조립·테스트와 삼성 Foundry 전용 시설은 전공정 Capa에 포함하지 않습니다.
Fab·계획 항목 수는 물리적인 공장 개수와 다릅니다. C2/C2F, Singapore 단지, Beijing 거점은 묶고, 후속 복수 Fab 계획도 하나의 항목으로 표시합니다.
LS증권 2026-02-24 자료의 2026 Q4 전망을 기본 비교값으로 사용합니다. Line 12는 Q3 전망입니다. 생산 세대·수율·가동률에 따라 실제 비트 공급은 달라집니다.
Kioxia·Sandisk 공동 생산 Capa는 설비 전체 기준입니다. 회사별 할당량·지분별 Capa로 해석하지 않습니다. Solidigm 다롄도 SK hynix 조회에 포함되지만 한 번만 등록했습니다.
미공개·미확인 값은 0으로 바꾸지 않습니다. Reuters의 YMTC 추가 2개 Fab는 부지 미공개로 지도에 표시하지 않습니다. YMTC의 DRAM 배분 가능성은 양산 확인과 구분해 메모에만 표시합니다.
지도는 도시·지역 기준점이며 같은 지역의 항목을 묶습니다. Google Maps 링크는 회사·Fab·도시 검색입니다. 공개 발표 이후 실제 공사·양산 완료 여부는 추가 확인이 필요합니다.