2027년 첫 웨이퍼 생산 목표
건설·설비 준비MEMORY INDUSTRY INTELLIGENCE
메모리 공장·Fab 지도
GLOBAL MEMORY MANUFACTURING
공장 위치부터 다음 증설까지
DRAM과 NAND의 생산 거점, Fab별 Capa, 건설 계획을 한곳에서 비교합니다.
자료 확인일2026-10-12공개자료 스냅샷
13Fab·계획 항목
8지도 지역
8건설·향후 계획
3Capa 수치 있는 항목
Capa 읽는 기준K = 천 장/월 · 300 mm 웨이퍼 투입량 기준. 비교표의 2026 Q4 전망은 2026-02-24 LS증권 공개 추정치이며 현재 실제 Capa가 아닙니다. 공식 계획과 보도 수치는 별도로 표시합니다.
생산 거점 지도
지도 숫자는 해당 지역의 조회 항목 수입니다. 거점을 눌러 Fab 목록을 확인하세요.
지도를 불러오지 못했습니다. 아래 비교표의 Google Maps 링크로 위치를 확인할 수 있습니다.
DRAMNAND혼합가동 ● / 건설·계획 ◌
도시·지역 기준점으로 표시합니다. Fab 건물의 정확한 좌표는 아닙니다.
Fab별 비교표 13개 항목
같은 Fab의 DRAM·NAND는 열을 나눴습니다. 공동 생산 거점은 한 번만 표시합니다.
| 회사 / Fab | 위치 | 생산 구분 | 상태 / 일정 | DRAM Capa | NAND Capa | 근거 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MicronTaoyuan / Fab 11 ↗ | 대만 · 타오위안Google Maps ↗ | 기존 DRAM 생산 | 미공개 | — | 출처 1개Micron · 2026 지속가능성 보고서 / 글로벌 생산 거점 ↗공식 보고서 · 2026Fab별 Capa 미공개. 공개 자료의 OMT 합계는 타오위안·타이중에 임의 배분하지 않음. | |
| MicronTaichung / Fab 16 ↗ | 대만 · 타이중Google Maps ↗ | 기존 선단 DRAM·HBM 생산 기반 | 미공개 | — | ||
| MicronHiroshima / Fab 15 ↗ | 일본 · 히가시히로시마Google Maps ↗ | 기존 DRAM 생산 · EUV 공정 전환 | 105K2026 Q4 전망외부 추정 | — | ||
| MicronHiroshima 신규 클린룸 ↗ | 일본 · 히가시히로시마Google Maps ↗ | 건설·설비 준비2026.07 착공 · 2028 하반기 장비 반입 보도 | 미공개 | — | 출처 1개Japan Times / Bloomberg · Hiroshima 신규 클린룸 착공 ↗보도 · 2026-07-04장비 반입과 출하를 구분. 새 클린룸 추가 Capa 미공개. | |
| MicronManassas / Fab 6 ↗ | 미국 · 매너서스Google Maps ↗ | 산업·자동차 등 특화 메모리 | 20K2026 Q4 전망외부 추정 | 27K2026 Q4 전망외부 추정 | 출처 2개Micron · 2026 지속가능성 보고서 / 글로벌 생산 거점 ↗공식 보고서 · 2026LS증권 · 최선의 수: AI 에이전트 시대, 메모리 벤더의 불가피한 선택 · 표12/14 (p.33/38) ↗외부 추정 · 2026-02-24동일 Fab의 DRAM·NAND 추정 투입량. 신규 선단 DRAM Fab과 구분. | |
| MicronSingapore NAND complex / Fab 7·10 ↗ | 싱가포르 · 싱가포르Google Maps ↗ | 기존 NAND 제조단지 | — | 103K2026 Q4 전망외부 추정 | 출처 2개Micron · 2026 지속가능성 보고서 / 글로벌 생산 거점 ↗공식 보고서 · 2026LS증권 · 최선의 수: AI 에이전트 시대, 메모리 벤더의 불가피한 선택 · 표12/14 (p.33/38) ↗외부 추정 · 2026-02-24단지의 3개 공개 리서치 항목을 합산. 개별 건물 배분은 별도 확인 필요. | |
| MicronSingapore 신규 NAND Fab ↗ | 싱가포르 · 싱가포르Google Maps ↗ | 건설·설비 준비2026.01 착공 → 2028 하반기 웨이퍼 생산 목표 | — | 미공개 | 출처 1개Micron · Singapore 신규 NAND Fab 착공 ↗공식 발표 · 2026-01-27계획 클린룸 700,000 sq ft. 면적은 WSPM Capa로 환산하지 않음. | |
| MicronIdaho ID1 ↗ | 미국 · 보이시Google Maps ↗ | 건설·설비 준비2027년 첫 웨이퍼 생산 목표 | 미공개 | — | ||
| MicronIdaho ID2 ↗ | 미국 · 보이시Google Maps ↗ | 건설·설비 준비2026년 건설 · 2028년 말 가동 목표 | 미공개 | — | ||
| MicronNew York Fab 1 ↗ | 미국 · 클레이Google Maps ↗ | 건설·설비 준비2026.01 착공 → 2030 생산 목표 | 미공개 | — | ||
| MicronNew York Fab 2–4 ↗ | 미국 · 클레이Google Maps ↗ | 계획후속 3개 Fab · 2030년대 순차 확장 | 미공개 | — | 출처 1개Micron · New York 착공 / 2030년 생산 목표 ↗공식 발표 · 2026-01-16세 개 Fab을 묶은 후속 계획. 첫 Fab의 2030 생산 목표를 후속 Fab에 적용하지 않음. | |
| MicronTongluo P5 / 기존 클린룸 ↗ | 대만 · 퉁뤄Google Maps ↗ | 건설·설비 준비2026.03 인수·개조 → FY2028 제품 출하 목표 | 미공개 | — | ||
| MicronTongluo 두 번째 클린룸 ↗ | 대만 · 퉁뤄Google Maps ↗ | 계획FY2026 말까지 착공 계획 · 생산 일정 미공개 | 미공개 | — | 출처 1개Micron · Tongluo P5 인수 완료·후속 클린룸 계획 ↗공식 발표 · 2026-03-16계획 면적 약 270,000 sq ft. 실제 착공 완료는 별도 확인 필요. |
향후 가동·증설 일정
연도는 각 발표의 목표입니다. 클린룸 개방·장비 반입·웨이퍼 생산·제품 출하는 서로 다른 단계입니다.
2027
2028
2026.07 착공 · 2028 하반기 장비 반입 보도
건설·설비 준비2026년 건설 · 2028년 말 가동 목표
건설·설비 준비2026.01 착공 → 2028 하반기 웨이퍼 생산 목표
건설·설비 준비2026.03 인수·개조 → FY2028 제품 출하 목표
건설·설비 준비2030
2026.01 착공 → 2030 생산 목표
건설·설비 준비연도가 미공개인 후속 계획은 비교표에서 확인할 수 있습니다.
범위·수치·지도 표시 기준
- 메모리 웨이퍼 전공정 중심입니다. HBM 패키징·조립·테스트와 삼성 Foundry 전용 시설은 전공정 Capa에 포함하지 않습니다.
- Fab·계획 항목 수는 물리적인 공장 개수와 다릅니다. C2/C2F, Singapore 단지, Beijing 거점은 묶고, 후속 복수 Fab 계획도 하나의 항목으로 표시합니다.
- LS증권 2026-02-24 자료의 2026 Q4 전망을 기본 비교값으로 사용합니다. Line 12는 Q3 전망입니다. 생산 세대·수율·가동률에 따라 실제 비트 공급은 달라집니다.
- Kioxia·Sandisk 공동 생산 Capa는 설비 전체 기준입니다. 회사별 할당량·지분별 Capa로 해석하지 않습니다. Solidigm 다롄도 SK hynix 조회에 포함되지만 한 번만 등록했습니다.
- 미공개·미확인 값은 0으로 바꾸지 않습니다. Reuters의 YMTC 추가 2개 Fab는 부지 미공개로 지도에 표시하지 않습니다. YMTC의 DRAM 배분 가능성은 양산 확인과 구분해 메모에만 표시합니다.
- 지도는 도시·지역 기준점이며 같은 지역의 항목을 묶습니다. Google Maps 링크는 회사·Fab·도시 검색입니다. 공개 발표 이후 실제 공사·양산 완료 여부는 추가 확인이 필요합니다.