MEMORY INDUSTRY INTELLIGENCE
주장
34736건 공개자료 기반 개인 관찰 기록
| 기록 | 상태·범위 | 수정일·발행일 | |
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| LC9 시리즈 SSD는 현재 일부 고객에게 샘플링 중이다. | 승인회사 계획 | 2026.10.22 08:26 | |
| LC9 시리즈는 2.5인치 및 EDSFF E3.L 폼팩터의 업계 최초 245.76 TB NVMe SSD라고 키옥시아가 주장한다. | 승인확인 사실 | 2026.10.22 08:26 | |
| LC9 시리즈는 32다이 적층 키옥시아 BiCS FLASH 8세대 QLC 3D 플래시 메모리를 사용한다. | 승인확인 사실 | 2026.10.22 08:26 | |
| 키옥시아의 LC9 시리즈 245.76 TB 기업용 SSD가 FMS 2025에서 'SSD Technology' 부문 'Best of Show' 상을 받았다. | 승인확인 사실 | 2026.10.22 08:26 | |
| KIOXIA AiSAQ는 KIOXIA의 상표이다. | 승인확인 사실 | 2026.10.22 08:24 | |
| KIOXIA AiSAQ 오픈소스 소프트웨어를 다운로드할 수 있는 링크가 제공된다. | 승인확인 사실 | 2026.10.22 08:24 | |
| 부스에서 방문객들은 공동 개발된 이미지 인식 시스템이 작동하는 것을 볼 수 있다. 제품이 컨베이어를 따라 이동할 때 시스템은 제품의 이미지 데이터를 캡처하고 저장된 특징과 라벨을 | 승인확인 사실 | 2026.10.22 08:24 | |
| 기술 협력은 12월 3~6일 도쿄 빅사이트(주바키모토 체인 부스 E6-23)에서 열리는 2025 국제 로봇 전시회에서 선보일 예정이다. | 승인회사 계획 | 2026.10.22 08:24 | |
| 데이터 볼륨이 증가함에 따라 검색 시간이 길어지고 메모리 요구량이 증가하는 것을 완화하기 위해, 이 기술은 메모리에 저장된 데이터를 인덱싱하고 인덱싱된 데이터를 SSD 저장장치로 | 승인확인 사실 | 2026.10.22 08:24 | |
| KIOXIA AiSAQ 소프트웨어는 키옥시아의 메모리 중심 AI 기술과 결합하여 이미지, 라벨, 특징 정보를 포함한 방대한 신제품 데이터를 고용량 저장장치에 저장함으로써 기본 모델 | 승인확인 사실 | 2026.10.22 08:24 | |
| 전통적인 이미지 인식 AI 시스템은 신제품이나 계절 상품이 도입될 때마다 매개변수 조정과 재학습이 필요한 딥러닝 모델에 의존한다. | 승인확인 사실 | 2026.10.22 08:24 | |
| 공동 개발된 기술은 2025 국제 로봇 전시회에서 시연될 예정이다. | 승인회사 계획 | 2026.10.22 08:24 | |
| KIOXIA AiSAQ와 메모리 중심 AI 기술이 이 노력의 핵심이다. | 승인확인 사실 | 2026.10.22 08:24 | |
| 키옥시아가 주바키모토 체인, 이글리스와 협력하여 물류 워크플로를 통해 이동하는 제품을 자동으로 식별하는 AI 기반 이미지 인식 기술을 개발했다. | 승인확인 사실 | 2026.10.22 08:24 | |
| 산화물 반도체의 낮은 오프 전류 특성 덕분에 리프레시 전력을 줄일 수 있을 것으로 기대된다. | 승인외부 전망 | 2026.10.22 08:23 | |
| 이 기술은 AI 서버와 사물인터넷 부품을 포함한 다양한 응용 분야에서 전력 소비를 줄일 가능성이 있다. | 승인외부 전망 | 2026.10.22 08:23 | |
| 키옥시아는 실제 응용 분야에서 3D DRAM의 배치를 실현하기 위해 이 기술의 연구개발을 계속할 것이다. | 승인회사 계획 | 2026.10.22 08:23 | |
| 키옥시아는 수평 트랜지스터의 8층 적층을 성공적으로 제작하고 그 구조 내 트랜지스터의 성공적인 동작을 확인했다. | 승인확인 사실 | 2026.10.22 08:23 | |
| 키옥시아는 높은 온 전류(>30μA)와 초저 오프 전류(<1aA, 10^-18A) 능력을 입증했다. | 승인확인 사실 | 2026.10.22 08:23 | |
| 키옥시아는 수직 피치를 스케일링할 수 있는 새로운 3D 메모리 셀 구조를 도입했다. | 승인확인 사실 | 2026.10.22 08:23 | |
| 새 기술은 실리콘 산화물·질화물 막을 적층하고 질화물 영역을 산화물 반도체(InGaZnO)로 대체해 수평 트랜지스터의 수직 층을 동시에 형성한다. | 승인확인 사실 | 2026.10.22 08:23 | |
| 올해 발표에서 키옥시아는 8층으로 적층된 트랜지스터의 동작을 검증했다. | 승인확인 사실 | 2026.10.22 08:23 | |
| 지난해 IEDM에서 키옥시아는 산화물 반도체 수직 트랜지스터를 사용하는 OCTRAM 기술을 발표했다. | 승인확인 사실 | 2026.10.22 08:23 | |
| 기존 DRAM 기술은 메모리 셀 크기 스케일링의 물리적 한계에 도달하고 있어 3D 적층 연구가 진행되고 있다. | 승인확인 사실 | 2026.10.22 08:23 | |
| 이 기술은 2025년 12월 10일 미국 샌프란시스코에서 열린 IEEE 국제전자소자학회(IEDM)에서 발표되었다. | 승인확인 사실 | 2026.10.22 08:23 |