MEMORY INDUSTRY INTELLIGENCE
마이크론, 차세대 서버용 세계 최초 초고밀도 모듈로 메모리 혁신 진전
한국어 번역·요약·분석
원문 제목: Micron Advances Memory Innovation With the World's First Ultra-Dense Module for Next-Generation Servers
핵심 요약
마이크론이 2026년 9월 15일 세계 최초 512GB DDR5 RDIMM을 여러 서버 플랫폼에서 성공적으로 시연했다고 발표했다. 이 모듈은 TSV 기반 수직 적층 패키징으로 최대 9,200 MT/s 속도를 제공하며, 128GB RDIMM 4개 대비 동작 전력을 60% 이상 절감한다고 주장한다. AMD와 인텔이 검증 중이며, 24슬롯 듀얼소켓 서버에서 최대 12TB DDR5 구성이 가능하다. 마이크론은 2027년 하반기 양산을 예상한다. 이는 LLM·에이전트 AI·실시간 추론 등 데이터 집약 워크로드의 서버 메모리 용량·대역폭 수요에 대응하기 위한 계획이다.
메모리 산업 영향 분석
마이크론이 512GB DDR5 RDIMM을 시연하고 AMD·인텔 검증을 진행 중이라고 밝힌 것은 서버 DRAM(제품 2)의 고용량·고대역폭 방향성을 보여준다. TSV 적층 패키징으로 단일 모듈 용량을 4배로 늘리면 서버당 DRAM 탑재량(사용량 효과)이 증가할 수 있으나, 동일 비트를 더 적은 모듈로 구현하므로 모듈 수요는 줄어들 수 있다. 60% 이상 전력 절감과 1.4배 성능 주장은 마이크론 자체 벤치마크로, 제3자 검증은 미확인이다. 2027년 하반기 양산 계획은 확정이 아니며, 실제 채택 속도·가격·경쟁사 대응은 미확인이다. 서버 LPDDR/SOCAMM(제품 3)과의 직접 연결 근거는 원문에 없어 메모리 산업 내 계층 이동은 확인되지 않는다.
한국어 번역 읽기
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### 마이크론, 차세대 서버용 세계 최초 초고밀도 모듈로 메모리 혁신 진전
마이크론의 첨단 DRAM 패키징으로 512GB DDR5 RDIMM이 최대 9,200 MT/s 속도와 60% 이상 절감된 동작 전력으로 데이터센터 성능을 구현
아이다호주 보이시, 2026년 9월 15일 (GLOBE NEWSWIRE) -- 마이크론 테크놀로지(Micron Technology, Inc., Nasdaq: MU)가 오늘 여러 서버 플랫폼에서 세계 최초 512GB DDR5 모듈 시연에 성공하며 메모리 혁신의 주요 이정표를 발표했다. 이 성과는 고성능·고용량 서버 메모리 분야에서 마이크론의 리더십을 강화하고, 엔터프라이즈 데이터센터 및 클라우드 고객에게 대규모의 까다로운 AI, 분석, 인메모리 데이터베이스, 시뮬레이션 중심 워크로드를 더 높은 효율로 지원할 수 있는 경로를 제공한다. 선도 반도체 지원 기업인 AMD와 인텔이 모두 이 모듈을 적극적으로 검증하고 있으며, 이 모듈은 최대 9,200 MT/s 속도를 제공할 예정이다.
이 모듈의 고용량은 마이크론의 첨단 수직 인터커넥트 패키징 혁신 덕분에 가능하다. 이 제품은 실리콘 관통 전극(TSV)으로 상호 연결된 DRAM 다이를 수직으로 적층하여 개별 DRAM 패키지 내 밀도를 극대화하면서 현대 데이터센터 아키텍처가 요구하는 성능을 유지한다. 이 모듈은 단일 24슬롯 듀얼소켓 서버에서 최대 12TB의 DDR5 DRAM을 가능하게 한다.
마이크론 클라우드 메모리 사업부 수석 부사장 겸 총괄 매니저인 라지 나라시만(Raj Narasimhan)은 "마이크론은 메모리 기술의 속도를 계속 앞서가며, 고객이 더 큰 데이터셋을 필요한 컴퓨트 엔진에 더 가까이 유지할 수 있도록 돕는 새로운 등급의 초고밀도·고성능 서버 메모리를 제공한다"며 "512GB RDIMM은 기존 서버 풋프린트 내에서 멀티테라바이트 서버를 가능하게 하여 더 큰 AI 및 데이터베이스 워크로드, 향상된 가상화 밀도, 개선된 전력 효율을 지원한다"고 말했다.
**생태계 파트너 검증** 마이크론은 차세대 서버 플랫폼 전반에서 512GB DDR5 RDIMM을 검증하기 위해 선도 생태계 지원 기업들과 긴밀히 협력하여 폭넓은 호환성과 원활한 배포 경로를 보장하고 있다.
AMD의 컴퓨트 및 엔터프라이즈 AI 플랫폼 솔루션 엔지니어링 부문 부사장인 아밋 고엘(Amit Goel)은 "AI와 데이터 집약 워크로드가 인프라 요구사항을 재편함에 따라 AMD 솔루션은 데이터센터 성능, 확장성, 효율성을 계속 발전시키고 있다"며 "마이크론과의 긴밀한 엔지니어링 협력은 컴퓨트와 메모리 혁신을 결합하여 고객이 AMD 기반 플랫폼의 가치를 온전히 실현하도록 돕는다. 우리는 함께 현대 워크로드의 증가하는 규모와 복잡성에 대응하는 균형 잡히고 고성능인 인프라를 구현하고 있다"고 말했다.
인텔 데이터센터 그룹의 플랫폼 및 시스템 엔지니어링 총괄 매니저인 카린 아이브시츠 세갈(Karin Eibschitz Segal)은 "AI 및 기타 데이터 집약 워크로드의 성장은 서버 인프라에 새로운 요구를 부과하며, 메모리 용량과 대역폭이 전체 시스템 성능에 점점 더 중요해지고 있다"며 "인텔은 마이크론과 긴밀히 협력하여 512GB DDR5 RDIMM을 검증하고 차세대 데이터센터 워크로드의 증가하는 요구를 충족하도록 설계된 미래 서버 플랫폼을 구현하도록 돕고 있다"고 말했다.
**데이터 집약 워크로드의 메모리 요구 충족** 대규모 언어 모델(LLM), 에이전트 AI, 실시간 추론, 고코어 수 CPU 워크로드의 급속한 확산은 더 큰 서버 메모리 용량, 더 높은 대역폭, 개선된 전력 효율에 대한 수요를 주도하고 있다. 마이크론 512GB RDIMM은 더 큰 데이터셋이 메인 메모리에 상주하도록 하여 느린 스토리지 계층에 대한 의존을 줄이고 비용이 큰 데이터 이동을 최소화함으로써 이러한 요구를 해결한다. 새로운 512GB RDIMM은 또한 128GB RDIMM 4개와 비교해 동작 전력을 60% 이상 절감하여 효율을 개선한다.1
Spark 서포트 벡터 머신(SVM) 기반 데이터 분석과 같은 메모리 바운드 워크로드의 경우, 마이크론 512GB RDIMM은 256GB DDR5 구성 대비 최대 1.4배 높은 성능을 제공할 수 있다. 512GB 모듈은 또한 RocksDB와 Redis를 포함한 메모리 집약 데이터베이스 및 캐싱 플랫폼에 상당한 이점을 제공하여 처리량을 개선하고 동시성을 높이며 데이터셋을 더 효율적으로 확장하도록 돕는다.
**업계가 이 미래 메모리 솔루션에 대해 말하는 바** JPMorganChase 인프라 플랫폼 최고정보책임자인 대린 알베스(Darrin Alves)는 "데이터센터 워크로드가 계속 성장함에 따라 우리는 스택 전반에서 컴퓨트, 메모리, 효율성 간의 균형을 최적화하는 방법에 점점 더 집중하고 있다"며 "마이크론의 512GB RDIMM과 같은 고용량 메모리 기술은 기업이 더 큰 인메모리 워크로드를 지원하고, 자원 활용률을 개선하며, 현대 컴퓨팅 환경을 확장하는 데 필요한 유연성을 강화하도록 도울 것"이라고 말했다.
마이크론은 512GB RDIMM이 고객 요구에 맞춰 2027년 하반기 언젠가 양산될 것으로 예상한다. 마이크론의 현재 이용 가능한 데이터센터 솔루션에 대한 자세한 정보는 [마이크론 데이터센터 메모리 웹페이지](https://www.globenewswire.com/Tracker?data=2_LL_48OBOC_tIS2Vzh5VCzwWefNSwLy6BFJ0-IV5AgHHcHEdtGjgXp3xe06GWDJvAmvog2ByBJMpdZxNSh0GWQHX-p7BR18TmkN02VhjfDXjDs4HRxFWdN7lzUF-tvqQRVD2QppTzLpLIMmadu9sbpNjx0un4CtqN0JZL0OlKs=)를 방문하라.
**마이크론 테크놀로지, Inc. 소개** 마이크론 테크놀로지, Inc.는 반도체 메모리 및 스토리지의 글로벌 리더로서 클라우드에서 엣지까지 AI 및 컴퓨트 집약 애플리케이션을 구동한다. 고객, 기술 및 제품 리더십, 제조 및 운영 우수성에 대한 끊임없는 집중으로 마이크론의 고성능 DRAM, NAND 및 NOR 솔루션의 포괄적인 포트폴리오는 오늘날 워크로드가 요구하는 속도, 효율성, 규모를 제공하여 모든 사람의 삶을 풍요롭게 하는 지능을 가속화한다. 마이크론 테크놀로지, Inc. (Nasdaq: MU)에 대해 더 알아보려면 [micron.com](https://www.globenewswire.com/Tracker?data=VUtbmC0wszCdkPRwMHVs_4irONrf5Dp-Y3F4Iui36sqAClVAM5gAjP4anAhBGKG3CBblAJr4iRSjqLLy0b8Jlw==)을 방문하라.
**미래예측 진술** 이 보도자료는 마이크론의 512GB DDR5 RDIMM, 예상 성능, 기능, 이점, 검증 및 배포, 양산 시기에 관한 진술을 포함한 미래예측 진술을 포함한다. 이러한 미래예측 진술은 실제 결과가 중대하게 다를 수 있는 여러 위험과 불확실성에 영향을 받는다. 마이크론이 증권거래위원회에 제출한 문서, 특히 최근 Form 10-K 및 Form 10-Q를 참조하라. 이 문서들은 이러한 미래예측 진술에 포함된 것과 중대하게 다른 결과를 초래할 수 있는 중요한 요인들을 포함하고 식별한다. 이러한 요인은 https://investors.micron.com/risk-factor에서 확인할 수 있다. 마이크론은 미래예측 진술에 반영된 기대가 합리적이라고 믿지만, 마이크론은 미래 결과, 활동 수준 또는 성과를 보장할 수 없다. 마이크론은 이 보도자료 날짜 이후 미래예측 진술을 실제 결과에 맞게 업데이트할 의무가 없다.
_© 2026 Micron Technology, Inc. 모든 권리 보유. 정보, 제품 및/또는 사양은 예고 없이 변경될 수 있다. Micron, Micron 로고 및 기타 모든 Micron 상표는 Micron Technology, Inc.의 자산이다. 기타 모든 상표는 해당 소유자의 자산이다._
_©Intel, Intel 로고 및 기타 Intel 마크는 Intel Corporation 또는 그 자회사의 상표이다._
**마이크론 제품 및 기술 커뮤니케이션 담당:** Mengxi Liu Evensen
+1 (408) 444-2276
[productandtechnology@micron.com](https://www.globenewswire.com/Tracker?data=5tVH3CgW5pWhvYPYjsJv2WddjHuVq4HhmRnd-AAi-7FhBALoD2cAOgmN_bvD1imckYub8Man7Yu5O0urVB3A0ks2BWjwPbfrq7kRqJmhoy0jZeDP85skQtnxvLVJz8vzdFrz0Le9lKPr6QBG1zEbyg==)
**마이크론 투자자 관계 담당:** Satya Kumar
+1 (408) 450-6199
[satyakumar@micron.com](https://www.globenewswire.com/Tracker?data=J99be14UObpV1MXPrvN1ejkRztUewyHGzZlGtB1ywGDcEoAE7zyGxAMyFaDYHJlx6fUNqgCagKlluGFq3PvXe7quB5JRXtsxQza-fZSAAm4=)
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1 512GB 모듈 1개당 16.0W와 128GB 모듈 4개 총 44.2W 비교 기준.
[](https://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/7b41b567-5fa9-4dee-8bcb-9ea728ca57ee)
출처: Micron Technology, Inc.
마이크론의 첨단 DRAM 패키징으로 512GB DDR5 RDIMM이 최대 9,200 MT/s 속도와 60% 이상 절감된 동작 전력으로 데이터센터 성능을 구현
아이다호주 보이시, 2026년 9월 15일 (GLOBE NEWSWIRE) -- 마이크론 테크놀로지(Micron Technology, Inc., Nasdaq: MU)가 오늘 여러 서버 플랫폼에서 세계 최초 512GB DDR5 모듈 시연에 성공하며 메모리 혁신의 주요 이정표를 발표했다. 이 성과는 고성능·고용량 서버 메모리 분야에서 마이크론의 리더십을 강화하고, 엔터프라이즈 데이터센터 및 클라우드 고객에게 대규모의 까다로운 AI, 분석, 인메모리 데이터베이스, 시뮬레이션 중심 워크로드를 더 높은 효율로 지원할 수 있는 경로를 제공한다. 선도 반도체 지원 기업인 AMD와 인텔이 모두 이 모듈을 적극적으로 검증하고 있으며, 이 모듈은 최대 9,200 MT/s 속도를 제공할 예정이다.
이 모듈의 고용량은 마이크론의 첨단 수직 인터커넥트 패키징 혁신 덕분에 가능하다. 이 제품은 실리콘 관통 전극(TSV)으로 상호 연결된 DRAM 다이를 수직으로 적층하여 개별 DRAM 패키지 내 밀도를 극대화하면서 현대 데이터센터 아키텍처가 요구하는 성능을 유지한다. 이 모듈은 단일 24슬롯 듀얼소켓 서버에서 최대 12TB의 DDR5 DRAM을 가능하게 한다.
마이크론 클라우드 메모리 사업부 수석 부사장 겸 총괄 매니저인 라지 나라시만(Raj Narasimhan)은 "마이크론은 메모리 기술의 속도를 계속 앞서가며, 고객이 더 큰 데이터셋을 필요한 컴퓨트 엔진에 더 가까이 유지할 수 있도록 돕는 새로운 등급의 초고밀도·고성능 서버 메모리를 제공한다"며 "512GB RDIMM은 기존 서버 풋프린트 내에서 멀티테라바이트 서버를 가능하게 하여 더 큰 AI 및 데이터베이스 워크로드, 향상된 가상화 밀도, 개선된 전력 효율을 지원한다"고 말했다.
**생태계 파트너 검증** 마이크론은 차세대 서버 플랫폼 전반에서 512GB DDR5 RDIMM을 검증하기 위해 선도 생태계 지원 기업들과 긴밀히 협력하여 폭넓은 호환성과 원활한 배포 경로를 보장하고 있다.
AMD의 컴퓨트 및 엔터프라이즈 AI 플랫폼 솔루션 엔지니어링 부문 부사장인 아밋 고엘(Amit Goel)은 "AI와 데이터 집약 워크로드가 인프라 요구사항을 재편함에 따라 AMD 솔루션은 데이터센터 성능, 확장성, 효율성을 계속 발전시키고 있다"며 "마이크론과의 긴밀한 엔지니어링 협력은 컴퓨트와 메모리 혁신을 결합하여 고객이 AMD 기반 플랫폼의 가치를 온전히 실현하도록 돕는다. 우리는 함께 현대 워크로드의 증가하는 규모와 복잡성에 대응하는 균형 잡히고 고성능인 인프라를 구현하고 있다"고 말했다.
인텔 데이터센터 그룹의 플랫폼 및 시스템 엔지니어링 총괄 매니저인 카린 아이브시츠 세갈(Karin Eibschitz Segal)은 "AI 및 기타 데이터 집약 워크로드의 성장은 서버 인프라에 새로운 요구를 부과하며, 메모리 용량과 대역폭이 전체 시스템 성능에 점점 더 중요해지고 있다"며 "인텔은 마이크론과 긴밀히 협력하여 512GB DDR5 RDIMM을 검증하고 차세대 데이터센터 워크로드의 증가하는 요구를 충족하도록 설계된 미래 서버 플랫폼을 구현하도록 돕고 있다"고 말했다.
**데이터 집약 워크로드의 메모리 요구 충족** 대규모 언어 모델(LLM), 에이전트 AI, 실시간 추론, 고코어 수 CPU 워크로드의 급속한 확산은 더 큰 서버 메모리 용량, 더 높은 대역폭, 개선된 전력 효율에 대한 수요를 주도하고 있다. 마이크론 512GB RDIMM은 더 큰 데이터셋이 메인 메모리에 상주하도록 하여 느린 스토리지 계층에 대한 의존을 줄이고 비용이 큰 데이터 이동을 최소화함으로써 이러한 요구를 해결한다. 새로운 512GB RDIMM은 또한 128GB RDIMM 4개와 비교해 동작 전력을 60% 이상 절감하여 효율을 개선한다.1
Spark 서포트 벡터 머신(SVM) 기반 데이터 분석과 같은 메모리 바운드 워크로드의 경우, 마이크론 512GB RDIMM은 256GB DDR5 구성 대비 최대 1.4배 높은 성능을 제공할 수 있다. 512GB 모듈은 또한 RocksDB와 Redis를 포함한 메모리 집약 데이터베이스 및 캐싱 플랫폼에 상당한 이점을 제공하여 처리량을 개선하고 동시성을 높이며 데이터셋을 더 효율적으로 확장하도록 돕는다.
**업계가 이 미래 메모리 솔루션에 대해 말하는 바** JPMorganChase 인프라 플랫폼 최고정보책임자인 대린 알베스(Darrin Alves)는 "데이터센터 워크로드가 계속 성장함에 따라 우리는 스택 전반에서 컴퓨트, 메모리, 효율성 간의 균형을 최적화하는 방법에 점점 더 집중하고 있다"며 "마이크론의 512GB RDIMM과 같은 고용량 메모리 기술은 기업이 더 큰 인메모리 워크로드를 지원하고, 자원 활용률을 개선하며, 현대 컴퓨팅 환경을 확장하는 데 필요한 유연성을 강화하도록 도울 것"이라고 말했다.
마이크론은 512GB RDIMM이 고객 요구에 맞춰 2027년 하반기 언젠가 양산될 것으로 예상한다. 마이크론의 현재 이용 가능한 데이터센터 솔루션에 대한 자세한 정보는 [마이크론 데이터센터 메모리 웹페이지](https://www.globenewswire.com/Tracker?data=2_LL_48OBOC_tIS2Vzh5VCzwWefNSwLy6BFJ0-IV5AgHHcHEdtGjgXp3xe06GWDJvAmvog2ByBJMpdZxNSh0GWQHX-p7BR18TmkN02VhjfDXjDs4HRxFWdN7lzUF-tvqQRVD2QppTzLpLIMmadu9sbpNjx0un4CtqN0JZL0OlKs=)를 방문하라.
**마이크론 테크놀로지, Inc. 소개** 마이크론 테크놀로지, Inc.는 반도체 메모리 및 스토리지의 글로벌 리더로서 클라우드에서 엣지까지 AI 및 컴퓨트 집약 애플리케이션을 구동한다. 고객, 기술 및 제품 리더십, 제조 및 운영 우수성에 대한 끊임없는 집중으로 마이크론의 고성능 DRAM, NAND 및 NOR 솔루션의 포괄적인 포트폴리오는 오늘날 워크로드가 요구하는 속도, 효율성, 규모를 제공하여 모든 사람의 삶을 풍요롭게 하는 지능을 가속화한다. 마이크론 테크놀로지, Inc. (Nasdaq: MU)에 대해 더 알아보려면 [micron.com](https://www.globenewswire.com/Tracker?data=VUtbmC0wszCdkPRwMHVs_4irONrf5Dp-Y3F4Iui36sqAClVAM5gAjP4anAhBGKG3CBblAJr4iRSjqLLy0b8Jlw==)을 방문하라.
**미래예측 진술** 이 보도자료는 마이크론의 512GB DDR5 RDIMM, 예상 성능, 기능, 이점, 검증 및 배포, 양산 시기에 관한 진술을 포함한 미래예측 진술을 포함한다. 이러한 미래예측 진술은 실제 결과가 중대하게 다를 수 있는 여러 위험과 불확실성에 영향을 받는다. 마이크론이 증권거래위원회에 제출한 문서, 특히 최근 Form 10-K 및 Form 10-Q를 참조하라. 이 문서들은 이러한 미래예측 진술에 포함된 것과 중대하게 다른 결과를 초래할 수 있는 중요한 요인들을 포함하고 식별한다. 이러한 요인은 https://investors.micron.com/risk-factor에서 확인할 수 있다. 마이크론은 미래예측 진술에 반영된 기대가 합리적이라고 믿지만, 마이크론은 미래 결과, 활동 수준 또는 성과를 보장할 수 없다. 마이크론은 이 보도자료 날짜 이후 미래예측 진술을 실제 결과에 맞게 업데이트할 의무가 없다.
_© 2026 Micron Technology, Inc. 모든 권리 보유. 정보, 제품 및/또는 사양은 예고 없이 변경될 수 있다. Micron, Micron 로고 및 기타 모든 Micron 상표는 Micron Technology, Inc.의 자산이다. 기타 모든 상표는 해당 소유자의 자산이다._
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**마이크론 투자자 관계 담당:** Satya Kumar
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1 512GB 모듈 1개당 16.0W와 128GB 모듈 4개 총 44.2W 비교 기준.
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출처: Micron Technology, Inc.
브리프용 요약 초안
마이크론이 세계 최초 512GB DDR5 RDIMM을 시연하고 AMD·인텔 검증을 진행 중이라고 발표했다. TSV 적층으로 서버당 최대 12TB 구성이 가능하며 2027년 하반기 양산 예정이다. 서버 DRAM 고용량화 방향성은 확인되나 실제 채택·가격·경쟁 영향은 미확인이다.
원문 텍스트
원문 열기 ↗### Micron Advances Memory Innovation With the World's First Ultra-Dense Module for Next-Generation Servers
Micron's advanced DRAM packaging enables the 512GB DDR5 RDIMM to unlock data center performance with speeds up to 9,200 MT/s and reduced operating power by more than 60%
BOISE, Idaho, Sept. 15, 2026 (GLOBE NEWSWIRE) -- Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU), today announced a major milestone in memory innovation with the successful demonstration of the world's first 512GB DDR5 module on multiple server platforms. The achievement reinforces Micron's leadership in high-performance, high-capacity server memory and provides enterprise data center and cloud customers with a path to support large and demanding AI, analytics, in-memory database and simulation-heavy workloads with greater efficiency. Leading semiconductor enablers, AMD and Intel, are both actively validating the module, which will deliver speeds up to 9,200 MT/s.
The module’s high capacity is possible due to Micron’s advanced vertical interconnect packaging innovations. This product vertically stacks DRAM dies interconnected by through-silicon vias (TSVs) to maximize density within individual DRAM packages while preserving the performance modern data center architectures demand. The module enables up to 12TB of DDR5 DRAM in a single 24-slot dual-socket server.
“Micron continues to set the pace for memory technology, delivering a new class of ultra-dense, high-performance server memory that helps customers keep larger datasets closer to the compute engines that need them,” said Raj Narasimhan, senior vice president and general manager of the Cloud Memory Business Unit at Micron. “A 512GB RDIMM enables multi-terabyte servers, supporting larger AI and database workloads, greater virtualization density and improved power efficiency, all within existing server footprints.”
**Ecosystem partner validation**Micron is collaborating closely with leading ecosystem enablers to validate the 512GB DDR5 RDIMM across next-generation server platforms, ensuring broad compatibility and a smooth path to deployment.
“AMD solutions continue to advance data center performance, scalability and efficiency as AI and data-intensive workloads reshape infrastructure requirements,” said Amit Goel, corporate vice president, Compute and Enterprise AI Platform Solutions Engineering, AMD. “Our close engineering collaboration with Micron brings compute and memory innovation together to help customers realize the full value of AMD-powered platforms. Together, we’re enabling balanced, high-performance infrastructure for the growing scale and complexity of modern workloads.”
"The growth of AI and other data-intensive workloads is placing new demands on server infrastructure, making memory capacity and bandwidth increasingly important to overall system performance," said Karin Eibschitz Segal, general manager of platform and system engineering in Intel’s Data Center Group.“Intel is working closely with Micron to validate its 512GB DDR5 RDIMM and help enable future server platforms designed to meet the growing demands of next-generation data center workloads.”
**Meeting the memory demands of data-intensive workloads**The rapid proliferation of large language models (LLMs), agentic AI, real-time inference and high-core-count CPU workloads is driving demand for greater server memory capacity, higher bandwidth and improved power efficiency. Micron 512GB RDIMMs address these demands by enabling larger datasets to remain resident in main memory, reducing reliance on slower storage tiers and minimizing costly data movement. The new 512GB RDIMM also improves efficiency, reducing operating power by more than 60% compared with four 128GB RDIMMs.1
For memory-bound workloads such as Spark Support Vector Machines (SVM)-based data analytics, Micron 512GB RDIMMs can deliver up to 1.4 times higher performance compared to 256GB DDR5 configurations. The 512GB module also provides significant advantages for memory-intensive databases and caching platforms, including RocksDB and Redis, improving throughput, increasing concurrency and helping scale datasets more efficiently.
**What the industry has to say about this future memory solution**“As data center workloads continue to grow, we are increasingly focused on how we can optimize the balance between compute, memory and efficiency across the stack,"said Darrin Alves, chief information officer for Infrastructure Platforms at JPMorganChase."Higher-capacity memory technologies like Micron’s 512GB RDIMMs will help enterprises support larger in-memory workloads, improve resource utilization and enhance the flexibility needed to scale modern computing environments."
Micron expects 512GB RDIMMs to be in volume production sometime in the second half of 2027 aligned to customer needs. For more information on Micron’s currently available data center solutions, visit the [Micron data center memory webpage](https://www.globenewswire.com/Tracker?data=2_LL_48OBOC_tIS2Vzh5VCzwWefNSwLy6BFJ0-IV5AgHHcHEdtGjgXp3xe06GWDJvAmvog2ByBJMpdZxNSh0GWQHX-p7BR18TmkN02VhjfDXjDs4HRxFWdN7lzUF-tvqQRVD2QppTzLpLIMmadu9sbpNjx0un4CtqN0JZL0OlKs=).
**About Micron Technology, Inc.**Micron Technology, Inc., is a global leader in semiconductor memory and storage, powering AI and compute-intensive applications from cloud to edge. With a relentless focus on our customers, technology and product leadership, and manufacturing and operational excellence, Micron’s comprehensive portfolio of high-performance DRAM, NAND and NOR solutions deliver the speed, efficiency and scale today’s workloads demand, accelerating intelligence to enrich life for all. To learn more about Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU), visit [micron.com](https://www.globenewswire.com/Tracker?data=VUtbmC0wszCdkPRwMHVs_4irONrf5Dp-Y3F4Iui36sqAClVAM5gAjP4anAhBGKG3CBblAJr4iRSjqLLy0b8Jlw==).
**Forward-Looking Statements**This press release contains forward-looking statements, including statements regarding Micron's 512GB DDR5 RDIMM, its expected performance, capabilities, benefits, validation and deployment, and the timing of volume production. These forward-looking statements are subject to a number of risks and uncertainties that could cause actual results to differ materially. Please refer to the documents Micron files with the Securities and Exchange Commission, specifically its most recent Form 10-K and Form 10-Q. These documents contain and identify important factors that could cause actual results to differ materially from those contained in these forward-looking statements. These factors can be found at https://investors.micron.com/risk-factor. Although Micron believes that the expectations reflected in the forward-looking statements are reasonable, Micron cannot guarantee future results, levels of activity, or achievements. Micron is under no duty to update any of the forward-looking statements after the date of this press release to conform these statements to actual results.
_© 2026 Micron Technology, Inc. All rights reserved. Information, products and/or specifications are subject to change without notice. Micron, the Micron logo and all other Micron trademarks are the property of Micron Technology, Inc. All other trademarks are the property of their respective owners._
_©Intel, the Intel logo and other Intel marks are trademarks of Intel Corporation or its subsidiaries._
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1 Based on 16.0W for one 512GB module compared with the 44.2W total for four 128GB modules.
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Source: Micron Technology, Inc.
Micron's advanced DRAM packaging enables the 512GB DDR5 RDIMM to unlock data center performance with speeds up to 9,200 MT/s and reduced operating power by more than 60%
BOISE, Idaho, Sept. 15, 2026 (GLOBE NEWSWIRE) -- Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU), today announced a major milestone in memory innovation with the successful demonstration of the world's first 512GB DDR5 module on multiple server platforms. The achievement reinforces Micron's leadership in high-performance, high-capacity server memory and provides enterprise data center and cloud customers with a path to support large and demanding AI, analytics, in-memory database and simulation-heavy workloads with greater efficiency. Leading semiconductor enablers, AMD and Intel, are both actively validating the module, which will deliver speeds up to 9,200 MT/s.
The module’s high capacity is possible due to Micron’s advanced vertical interconnect packaging innovations. This product vertically stacks DRAM dies interconnected by through-silicon vias (TSVs) to maximize density within individual DRAM packages while preserving the performance modern data center architectures demand. The module enables up to 12TB of DDR5 DRAM in a single 24-slot dual-socket server.
“Micron continues to set the pace for memory technology, delivering a new class of ultra-dense, high-performance server memory that helps customers keep larger datasets closer to the compute engines that need them,” said Raj Narasimhan, senior vice president and general manager of the Cloud Memory Business Unit at Micron. “A 512GB RDIMM enables multi-terabyte servers, supporting larger AI and database workloads, greater virtualization density and improved power efficiency, all within existing server footprints.”
**Ecosystem partner validation**Micron is collaborating closely with leading ecosystem enablers to validate the 512GB DDR5 RDIMM across next-generation server platforms, ensuring broad compatibility and a smooth path to deployment.
“AMD solutions continue to advance data center performance, scalability and efficiency as AI and data-intensive workloads reshape infrastructure requirements,” said Amit Goel, corporate vice president, Compute and Enterprise AI Platform Solutions Engineering, AMD. “Our close engineering collaboration with Micron brings compute and memory innovation together to help customers realize the full value of AMD-powered platforms. Together, we’re enabling balanced, high-performance infrastructure for the growing scale and complexity of modern workloads.”
"The growth of AI and other data-intensive workloads is placing new demands on server infrastructure, making memory capacity and bandwidth increasingly important to overall system performance," said Karin Eibschitz Segal, general manager of platform and system engineering in Intel’s Data Center Group.“Intel is working closely with Micron to validate its 512GB DDR5 RDIMM and help enable future server platforms designed to meet the growing demands of next-generation data center workloads.”
**Meeting the memory demands of data-intensive workloads**The rapid proliferation of large language models (LLMs), agentic AI, real-time inference and high-core-count CPU workloads is driving demand for greater server memory capacity, higher bandwidth and improved power efficiency. Micron 512GB RDIMMs address these demands by enabling larger datasets to remain resident in main memory, reducing reliance on slower storage tiers and minimizing costly data movement. The new 512GB RDIMM also improves efficiency, reducing operating power by more than 60% compared with four 128GB RDIMMs.1
For memory-bound workloads such as Spark Support Vector Machines (SVM)-based data analytics, Micron 512GB RDIMMs can deliver up to 1.4 times higher performance compared to 256GB DDR5 configurations. The 512GB module also provides significant advantages for memory-intensive databases and caching platforms, including RocksDB and Redis, improving throughput, increasing concurrency and helping scale datasets more efficiently.
**What the industry has to say about this future memory solution**“As data center workloads continue to grow, we are increasingly focused on how we can optimize the balance between compute, memory and efficiency across the stack,"said Darrin Alves, chief information officer for Infrastructure Platforms at JPMorganChase."Higher-capacity memory technologies like Micron’s 512GB RDIMMs will help enterprises support larger in-memory workloads, improve resource utilization and enhance the flexibility needed to scale modern computing environments."
Micron expects 512GB RDIMMs to be in volume production sometime in the second half of 2027 aligned to customer needs. For more information on Micron’s currently available data center solutions, visit the [Micron data center memory webpage](https://www.globenewswire.com/Tracker?data=2_LL_48OBOC_tIS2Vzh5VCzwWefNSwLy6BFJ0-IV5AgHHcHEdtGjgXp3xe06GWDJvAmvog2ByBJMpdZxNSh0GWQHX-p7BR18TmkN02VhjfDXjDs4HRxFWdN7lzUF-tvqQRVD2QppTzLpLIMmadu9sbpNjx0un4CtqN0JZL0OlKs=).
**About Micron Technology, Inc.**Micron Technology, Inc., is a global leader in semiconductor memory and storage, powering AI and compute-intensive applications from cloud to edge. With a relentless focus on our customers, technology and product leadership, and manufacturing and operational excellence, Micron’s comprehensive portfolio of high-performance DRAM, NAND and NOR solutions deliver the speed, efficiency and scale today’s workloads demand, accelerating intelligence to enrich life for all. To learn more about Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU), visit [micron.com](https://www.globenewswire.com/Tracker?data=VUtbmC0wszCdkPRwMHVs_4irONrf5Dp-Y3F4Iui36sqAClVAM5gAjP4anAhBGKG3CBblAJr4iRSjqLLy0b8Jlw==).
**Forward-Looking Statements**This press release contains forward-looking statements, including statements regarding Micron's 512GB DDR5 RDIMM, its expected performance, capabilities, benefits, validation and deployment, and the timing of volume production. These forward-looking statements are subject to a number of risks and uncertainties that could cause actual results to differ materially. Please refer to the documents Micron files with the Securities and Exchange Commission, specifically its most recent Form 10-K and Form 10-Q. These documents contain and identify important factors that could cause actual results to differ materially from those contained in these forward-looking statements. These factors can be found at https://investors.micron.com/risk-factor. Although Micron believes that the expectations reflected in the forward-looking statements are reasonable, Micron cannot guarantee future results, levels of activity, or achievements. Micron is under no duty to update any of the forward-looking statements after the date of this press release to conform these statements to actual results.
_© 2026 Micron Technology, Inc. All rights reserved. Information, products and/or specifications are subject to change without notice. Micron, the Micron logo and all other Micron trademarks are the property of Micron Technology, Inc. All other trademarks are the property of their respective owners._
_©Intel, the Intel logo and other Intel marks are trademarks of Intel Corporation or its subsidiaries._
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1 Based on 16.0W for one 512GB module compared with the 44.2W total for four 128GB modules.
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